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J-GLOBAL ID：201502266766538052   整理番号：15A0558662

基板上グラフェンの構造・電子状態・伝導特性の第一原理計算

著者 (3件)： 加藤幸一郎 (みずほ情報総研) ,  塚本貴志 (みずほ情報総研) ,  谷村直樹 (みずほ情報総研)
資料名： みずほ情報総研技報(Web)
巻： 6  号： 1  ページ： 07 (WEB ONLY)  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： U0590A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンは,炭素原子が6員環ネットワークで接続された構造の単原子層のシート状物質である。薄さ,高い電子移動度,高い熱伝導度などの特徴がある。基板がグラフェンに与える影響を検討するために,第一原理計算法を利用して,グラフェンの構造や電子状態などの特性について検討した。第一原理計算プログラムパッケージとしてSIESTAを利用した。汎関数には,ノルム保存型擬ポテンシャルを利用した。電子状態は,DZPの基底関数で計算した。また,伝導特性は,非平衡グリーン関数法を利用した。基板にSiCを利用した場合,基板の影響を受けて,大きな構造変調が起こり,グラフェンが平行方向に基板に引っ張られるような構造になることが分かった。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電子状態 ,  *導電性 ,  計算 ,  ab initio法 ,  第一原理 ,  基板 ,  構造解析 ,  単一層 ,  炭素 ,  環状構造 ,  単原子層 ,  キャリア移動度 ,  熱伝導率 ,  プログラムパッケージ ,  汎関数 ,  擬ポテンシャル法 ,  基底関数 ,  Green関数 ,  炭化ケイ素 ,  第一原理計算 ,  電子移動度
準シソーラス用語： SIESTA

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  電子物性一般  (BM01000S)

引用文献 (9件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306 (2004) 666-669.
• E. H. Hwang, S. Adam, and S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett. 98 (2007) 186806.
• K. I. Bolotina, K. J. Sikesb, and Z. Jianga. d. M. Klimac, G. Fudenberga, J. Honec, P. Kima, and HL Stormer, Solid State Commun. 146 (2008) 351.
• A. K. Geim, Science 324 (2009) 1530.
• J. M. Soler, E. Artacho, J. D. Gale, A. Garcia, J. Junquera, P. Ordejon, and D. Sanchez-Portal, J. Phys. Cond. Matt. 14 (2002) 2745.

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  電子状態 ,  伝導 ,  第一原理計算