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J-GLOBAL ID：201502266792403068   整理番号：15A0718340

非晶質SrTiO₃メムリスティブデバイスのドナー誘起性能チューニング 多状態抵抗スイッチングと機械的同調性

Donor-Induced Performance Tuning of Amorphous SrTiO₃ Memristive Nanodevices: Multistate Resistive Switching and Mechanical Tunability

著者 (12件)： NILI Hussein (Functional Materials and Microsystems Res. Group and Micro Nano Res. Facility, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  WALIA Sumeet (Functional Materials and Microsystems Res. Group and Micro Nano Res. Facility, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  KANDJANI Ahmad Esmaielzadeh (NanoBiotechnology Res. Lab., School of Applied Sciences, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  RAMANATHAN Rajesh (NanoBiotechnology Res. Lab., School of Applied Sciences, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  GUTRUF Philipp (Functional Materials and Microsystems Res. Group and Micro Nano Res. Facility, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  AHMED Taimur (Functional Materials and Microsystems Res. Group and Micro Nano Res. Facility, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  BALENDHRAN Sivacarendran (Functional Materials and Microsystems Res. Group and Micro Nano Res. Facility, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  BANSAL Vipul (NanoBiotechnology Res. Lab., School of Applied Sciences, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  STRUKOV Dmitri B. (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  KAVEHEI Omid (Functional Materials and Microsystems Res. Group and Micro Nano Res. Facility, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  BHASKARAN Madhu (Functional Materials and Microsystems Res. Group and Micro Nano Res. Facility, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS) ,  SRIRAM Sharath (Functional Materials and Microsystems Res. Group and Micro Nano Res. Facility, RMIT Univ., Melbourne, Victoria, AUS)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 25  号： 21  ページ： 3172-3182  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物の価数変化メムリスティブデバイスは,複数レベル不揮発性アナログメモリーおよび脳型計算アーキテクチャ開発のための鍵となる候補である。信頼できる低エネルギー性能と非線形抵抗スイッチングダイナミックスの同調性は,これらデバイスの高密度回路レベル集積の効率化に不可欠である。ここでは,高性能非晶質SrTiO₃(a-STO)メムリスターのスイッチング特性を向上するために室温合成欠陥化学操作を採用した。a-STO酸化物構造中への低濃度の置換型ドナー(Nb)のドーピングは,電場依存の多状態抵抗スイッチングと共に,メムリスティブ性能の必要エネルギー,安定性および制御性の著しい改善を可能にした。低エネルギーのマルチレベル操作に対して転位サイトが電荷担体として作用する改善された絶縁体酸化物を室温ドナードーピングがもたらす証拠が示された。最後に,ドナーをドープしたa-STOベースのメムリスティブナノデバイスの性能を,ここで示したデバイスの非線形メムリスティブ特性の機械的変調の可能性と共に紹介した。これらの結果は,アナログメモリーおよび多機能性代替ロジック要素としての高密度集積化用ドナードープa-STOナノデバイスの可能性を強調した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *チタン酸ストロンチウム ,  非晶質 ,  回路部品 ,  ドーピング ,  *ニオブ ,  ドーパント ,  添加物効果 ,  スイッチング ,  電気抵抗 ,  イオン伝導
準シソーラス用語： *メモリスタ

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  ドナー ,  誘起 ,  性能チューニング ,  抵抗スイッチング ,  同調性