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J-GLOBAL ID：201502267145263684   整理番号：15A0642649

磁気フィルムの増加した強磁性共鳴周波数を用いた高周波マイクロ波オンチップインダクタ

HIGH FREQUENCY MICROWAVE ON-CHIP INDUCTORS USING INCREASED FERROMAGNETIC RESONANCE FREQUENCY OF MAGNETIC FILMS

著者 (6件)： KOH Kisik (Univ. California, Berkeley, USA) ,  GARDNER Donald S. (Intel Corp., USA) ,  YANG Chen (Univ. California, Berkeley, USA) ,  O’BRIEN Kevin P. (Intel Corp., USA) ,  TAYEBI Noureddine (Intel Corp., USA) ,  LIN Liwei (Univ. California, Berkeley, USA)
資料名： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems)
巻： 28th Vol.1  ページ： 208-211  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0377A  ISSN： 1084-6999  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,CoZrTaB薄膜の強磁性共鳴(FMR)を,外部磁場の下の堆積プロセスの間のスパッタリングパワーを変化すことにより調べた。スパッタリングパワーを,1000から150Wにするとより平滑な表面が得られた。平滑な表面をもつ磁気フィルムは,コバルトの強い一軸磁気異方性に対して望ましい。低スパッタリングパワーにより得られた平滑な表面により,面内異方性を修正でき,結果的にCoZrTaB膜のFMR周波数が増大した。増加したFMRにより,磁性材料を,ストリップ線路インダクタ作成プロセスに統合し,従来の空心インダクタより大きなインダクタンスおよびQ因子を達成した。スパッタリングプロセスの修正によりFMR周波数の改善に向けてのこの実験的努力により,自己コアマイクロ波(>1GHz)オンチップインダクタをもたらした。

シソーラス用語： *磁性薄膜 ,  *強磁性共鳴 ,  マイクロ波 ,  *薄膜インダクタ ,  スパッタリング ,  滑面 ,  磁気異方性 ,  ストリップ線路 ,  コバルト ,  Q値
準シソーラス用語： *オンチップインダクタ ,  *磁気フィルム ,  平滑表面

分類 (2件)： 強磁性共鳴,反強磁性共鳴,フェリ磁性共鳴  (BM07030P) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁気フィルム ,  強磁性 ,  共鳴周波数 ,  高周波 ,  マイクロ波 ,  オンチップインダクタ