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J-GLOBAL ID：201502267820172804   整理番号：15A0212433

プラズマ増強アーク放電技術を用いた異なったカーボンナノ構造の高ゾーン依存合成

Highly zone-dependent synthesis of different carbon nanostructures using plasma-enhanced arc discharge technique

著者 (8件)： KUMAR Rajesh (Yonsei Univ., Dep. of Materials Sci. & Engineering, 120-749, Seoul, KOR) ,  KUMAR Rajesh (Banaras Hindu Univ., Dep. of Physics, 221005, Varanasi, IND) ,  SINGH Rajesh Kumar (Banaras Hindu Univ., Dep. of Applied Physics, Indian Inst. of Technol., 221005, Varanasi, IND) ,  DUBEY Pawan Kumar (Univ. of Allahabad, Nanotechnology Application Centre, 211002, Allahabad, IND) ,  YADAV Ram Manohar (Rice Univ., Dep. of Materials Sci. and Nano Engineering, 77005, Houston, TX, USA) ,  SINGH Dinesh Pratap (Universidad de Santiago de Chile, Departamento de Fisica, Avenida Ecuador 3493, Estacion Central, 9170124, Santiago, CHL) ,  TIWARI R. S. (Banaras Hindu Univ., Dep. of Physics, 221005, Varanasi, IND) ,  SRIVASTAVA O. N. (Banaras Hindu Univ., Dep. of Physics, 221005, Varanasi, IND)
資料名： Journal of Nanoparticle Research  (Journal of Nanoparticle Research)
巻： 17  号： 1  ページ： 2837,1-9  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W1361A  ISSN： 1388-0764  CODEN： JNARFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 樹状カーボンナノ構造,つまりグラフェンナノフレーク(GNF),多層カーボンナノチューブ(MWCNT),球状カーボンナノ粒子(SCNP)を,実験により比較研究した。これらのカーボンナノ構造を,直流プラズマ支援アーク放電チャンバ内の特定の位置に配置した。圧力400トールのヘリウム(He)雰囲気中で,アーク電極としてグラファイトを用い,カーボンナノ構造を連続的に合成した。SCNPがカソードホルダ上に堆積形成され,非常に曲がったグラファイト構造がほとんどであった。直径は20~60nmであり,これらの粒子は互いに自己組織化したように見られる。直径10~30nmのMWCNTが得られ,カソード堆積中の膨張部分の内部に存在した。これらのMWCNTは,層間距離が3.59Åの14~18グラファイト層であった。GNFは,1~5μmの平均横サイズで,数層の積層で捻じれた構造であった。GNFは低温でより安定(低質量損失)であるが,SCNPは高温で低質量損失であった。Copyright 2015 Springer Science+Business Media Dordrecht Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アーク放電 ,  *プラズマ ,  炭素 ,  ナノ構造 ,  化学合成 ,  *多層カーボンナノチューブ ,  球状 ,  *ナノ粒子 ,  グラフェン ,  フレーク ,  *グラファイト ,  *電極材料 ,  積層構造 ,  ねじり ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： プラズマ増強アーク放電 ,  ナノフレーク ,  局所欠陥

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  増強 ,  アーク放電 ,  カーボン ,  ナノ構造 ,  ゾーン