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J-GLOBAL ID：201502268070195420   整理番号：15A0461419

テトラセノ[2,3-b]チオフェンに基づく低電圧トランジスタ 接触抵抗および空気安定性

Low-Voltage Organic Transistors Based on Tetraceno[2,3-b]thiophene: Contact Resistance and Air Stability

著者 (7件)： KRAFT Ulrike (Max Planck Inst. for Solid State Res., Stuttgart, DEU) ,  KRAFT Ulrike (Technical Univ. Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU) ,  ANTHONY John E. (Univ. Kentucky, Kentucky, USA) ,  RIPAUD Emilie (Univ. Kentucky, Kentucky, USA) ,  LOTH Marsha A. (Univ. Kentucky, Kentucky, USA) ,  WEBER Edwin (Technical Univ. Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU) ,  KLAUK Hagen (Max Planck Inst. for Solid State Res., Stuttgart, DEU)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 27  号： 3  ページ： 998-1004  発行年： 2015年02月10日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2,3-ジホルミル-チオフェンと1,4-ジヒドロキシ-アントラセンの縮合により生成するキノンのNaBH₄還元によってテトラセノ[2,3-b]チオフェンを合成した。基板/アルミニウムゲート電極/酸化アルミニウム/テトラデシルホスホン酸単分子層/有機活性層/ソースおよびドレイン金電極積層構造からなる薄膜トランジスタ(有機活性層=テトラセノ[2,3-b]チオフェン,アントラジチオフェン,またはペンタセン)を作製した。テトラセノ[2,3-b]チオフェンからの薄膜トランジスタはキャリア移動度0.55cm²/Vs,サブスレッショルドスイング(S値)0.13V/decを示し,接触抵抗はペンタセンと同等でアントラジチオンよりも小さかった。いずれの素子も12ケ月の長期運転で安定であった。テトラセノチオフェン素子のキャリア移動度は初期においてペンタセンTFTの50%と小さいが,空気中の安定性が高いため,3ケ月でペンタセンを追い抜いた。

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,  *芳香族縮合化合物 ,  縮合反応 ,  還元 ,  *化学合成 ,  電極 ,  酸化アルミニウム ,  単分子層 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  金電極 ,  積層構造 ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  接触抵抗 ,  安定性 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： アルミニウム電極 ,  縮合 ,  低電圧駆動

分類 (3件)： チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U) ,  複素環式化合物の結晶構造  (BK08030Q) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (4件)： テトラデシルホスホン酸 ,  ペンタセン ,  テトラセノ[2,3-b]チオフェン ,  アントラ[2,3-b:6,7-b′]ジチオフェン

タイトルに関連する用語 (5件)： チオフェン ,  低電圧 ,  トランジスタ ,  接触抵抗 ,  安定性