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J-GLOBAL ID：201502269274624998   整理番号：15A0705124

MoS₂フレークの形態に及ぼすキャリアガス流量係数の影響

Influences of carrier gas flow rate on the morphologies of MoS₂ flakes

著者 (8件)： CAO Yingjie (Jiangxi Key Lab. of Nanomaterials and Sensors, Jiangxi Key Lab. of Photoelectronics and Telecommunication, School of ...) ,  LUO Xingfang (Jiangxi Key Lab. of Nanomaterials and Sensors, Jiangxi Key Lab. of Photoelectronics and Telecommunication, School of ...) ,  HAN Shuming (Jiangxi Key Lab. of Nanomaterials and Sensors, Jiangxi Key Lab. of Photoelectronics and Telecommunication, School of ...) ,  YUAN Cailei (Jiangxi Key Lab. of Nanomaterials and Sensors, Jiangxi Key Lab. of Photoelectronics and Telecommunication, School of ...) ,  YANG Yong (Jiangxi Key Lab. of Nanomaterials and Sensors, Jiangxi Key Lab. of Photoelectronics and Telecommunication, School of ...) ,  LI Qinliang (Jiangxi Key Lab. of Nanomaterials and Sensors, Jiangxi Key Lab. of Photoelectronics and Telecommunication, School of ...) ,  YU Ting (Jiangxi Key Lab. of Nanomaterials and Sensors, Jiangxi Key Lab. of Photoelectronics and Telecommunication, School of ...) ,  YE Shuangli (School of Printing and Packaging, Wuhan Univ., Wuhan 430072, Hubei, CHN)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 631-632  ページ： 30-33  発行年： 2015年07月01日 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS₂フレークを,SiO₂/Si基板上に,変化させたキャリアガス流率での化学蒸着(CVD)を用いて直接調製した。MoS₂フレークの単分子層および樹枝状形態は,それぞれ異なるAr流率で形成されることが分かった。キャリアガス流率はCVD成長MoS₂フレークの構造と形態とに著しい影響を及ぼすこと,従って,MoS₂フレークの光学的性質を有意にテーラリングできること,を実証した。これらの結果は,制御された成長パラメータでのCVD法の開発に対する路を整備し,巨視的に均一な単分子層MoS₂の合成に対する新しい場所を拓くこと,を記した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *フレーク ,  キャリアガス ,  *化学蒸着 ,  基板 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  単分子層 ,  樹枝状結晶 ,  顕微鏡観察 ,  光学顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  流量係数 ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： シリカ ,  二硫化モリブデン

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： MoS2 ,  フレーク ,  形態 ,  キャリアガス ,  流量係数