文献

J-GLOBAL ID：201502270079041277   整理番号：15A0329163

次世代エネルギー技術開発の展望 スパッタ堆積法によるSi/Geの低温高速エピタキシャル成長と太陽電池応用

著者 (1件)： YEH Wenchang (島根大 大学院総合理工学研究科)
資料名： 化学工業  (Chemical Industry)
巻： 66  号： 3  ページ： 198-205  発行年： 2015年03月01日 
JST資料番号： F0101A  ISSN： 0451-2014  CODEN： KAKOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si/Ge接合に適した太陽電池構造を提案し,スパッタエピタキシー(SE)形成したSi膜およびGe膜の膜質,不純物共スパッタによる導電率制御とその電気伝導特性,SE法で作製した太陽電池の特性を調べた。SE-Siでn⁺を形成したSEエミッタSi太陽電池を作製し従来の熱拡散方式でn⁺エミッタを形成した熱拡散エミッタSi太陽電池と比較した。その結果,次のことが分かった。1)SE法でSi(100)上に良質なSi膜およびGe膜を形成できる,2)不純物共スパッタエピタキシャル成長により高濃度ドーピングされたn/p型のSi/Ge膜が得られる,3)SiおよびGe太陽電池の最大内部量子効率はともに80%以上である。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *エピタクシー ,  スパッタリング ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  ドーピング ,  量子効率 ,  単結晶
準シソーラス用語： エピタクシー成長 ,  内部量子効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： 次世代エネルギー ,  開発 ,  展望 ,  スパッタ堆積 ,  Si ,  Ge ,  低温 ,  エピタキシャル成長 ,  太陽電池 ,  応用