YANG H. について
The Univ. of California at Davis, One Shields Avenue, Davis, California 95616, USA について
LEE H. S. について
Korean Inst. of Materials Sci. (KIMS), 66 Sangnam-Dong, Changwon, Gyeongnam 641-831, KOR について
KOTULA P. G. について
Dep. of Materials Characterization, Sandia National Lab. Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87123, USA について
SATO Y. について
Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyushu Univ., Fukuoka 819-0395, JPN について
IKUHARA Y. について
Inst. of Engineering Innovation, The Univ. of Tokyo, 2-11-16, Bunkyo, Tokyo 113-8656, JPN について
BROWNING N. D. について
Fundamental and Computational Sciences Directorate, Pacific Northwest National Lab., Richland, Washington 99352, USA について
Applied Physics Letters について
ドーピング について
チタン酸ストロンチウム について
プラセオジム について
光ルミネセンス について
不純物補償 について
結晶粒界 について
置換型原子 について
第一原理 について
両性ドーピング について
粒界 について
半導体の格子欠陥 について
無機化合物のルミネセンス について
粒界 について
プラセオジム について
ドーピング について