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J-GLOBAL ID：201502270318774648   整理番号：15A0480738

Ba₄Ga₄SnSe₁₂とBa₆Ga₂SnSe₁₁の合成,構造および光学的性質

Syntheses, structures, and optical properties of Ba₄Ga₄SnSe₁₂ and Ba₆Ga₂SnSe₁₁

著者 (8件)： YIN Wenlong (Inst. of Chemical Materials, China Acad. of Engineering Physics, P.O. Box 919-306, Mianyang, 621900, CHN) ,  LIN Zuohong ,  KANG Lei ,  KANG Bin ,  DENG Jianguo ,  LIN Zheshuai ,  YAO Jiyong ,  WU Yicheng
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 44  号： 5  ページ： 2259-2266  発行年： 2015年02月07日 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： A/M/Sn/Q(A=アルカリ土類金属;M=Al,Ga,In;Q=S,Se,Te)系の最初の二つの構成物である二つの新しい四成分セレン化物(Ba₄Ga₄SnSe₁₂,Ba₆Ga₂SnSe₁₁)を初めて合成した。Ba₄Ga₄SnSe₁₂は正方晶系の非中心対称空間群P<span style=text-decoration:overline>4</span>2₁/cに結晶化し,三次元構造を有した。その三次元骨格は空洞中に存在する八配位Ba²⁺カチオンを有する隅部共有GaSe₄およびSnSe₄四面体から構築された。Ba₆Ga₂SnSe₁₁は新しい構造型である単斜晶系中心対称空間群P2₁/cに結晶化した。Ba₆Ga₂SnSe₁₁の構造はゼロ次元構造という特徴を示したが,それは全体的に孤立し歪んだSnSe₄四面体とそれらの間に位置するBa²⁺を有する離散Ga₂Se₇単位を含んだ。拡散反射率スペクトルに基づき,Ba₄Ga₄SnSe₁₂およびBa₆Ga₂SnSe₁₁のバンドギャップはそれぞれ2.16(2)eVおよび1.99(2)eVとなった。さらに,Ba₄Ga₄SnSe₁₂の電子構造計算はそれが主に[Ga₄SnSe₁₂]^8-アニオン骨格が決定したバンドギャップを有する直接ギャップ半導体であることを示した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *バリウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  *結晶構造 ,  光学的性質 ,  結晶格子 ,  バンド構造 ,  反射スペクトル ,  密度汎関数法 ,  核間距離 ,  X線回折
準シソーラス用語： 拡散反射スペクトル ,  単位格子 ,  粉末X線回折

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (1件)： 光学的性質