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J-GLOBAL ID:201502270430236632   整理番号:15A0460586

実空間グリッドによる水素型及びヘリウム型人工原子の一電子軌道の計算

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号: 50  ページ: 71-76  発行年: 2015年02月28日 
JST資料番号: S0960A  ISSN: 0285-5364  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本研究では,平均場近似を用いた人工原子構造計算で基本となるただ一つの電子を持つ水素型人工原子と,多電子人工原子への応用の第一歩である二つの電子を持つヘリウム型人工原子を対象として,その束縛された電子の一電子軌道について数値計算を行った。その際,波動関数やハミルトニアン演算子を離散化された実空間グリッド上で表現するDVR法と固有値問題の数値的解法としてヤコビ法を用いた。人工原子として,コアにAl0.35Ga0.65As,マトリックスにGaAsを用いた半導体ヘテロ結合による原子番号Z=1,2の球形人工原子を想定し,その基底状態では両者ともドナー電子が1s軌道を占めている仮定した。その結果,半径12nmのコアを持つ水素型及びヘリウム型原子の1s軌道の軌道エネルギーは夫々ー1.9meV及びー2.3meVで,自然原子に較べて非常に小さい値が得られた。
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分類 (1件):
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原子の電子構造 

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