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J-GLOBAL ID:201502271053671040   整理番号:15A0535226

薄膜との誘電体結合によるEr3+イオンの放出速度を制御する

Controlling the Emission Rate of Er3+ Ions by Dielectric Coupling with Thin Films
著者 (7件):
資料名:
巻: 119  号: 12  ページ: 6728-6736  発行年: 2015年03月26日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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金属/誘電体の均一薄膜または金属ナノ構造形からなる種々の誘電体とトポロジ-特性を示す被覆層とサブ波長距離内での界面存在によりマグネトロン共スパタリング析出によってシリカ基板上に得たEr:SiO2薄膜中のEr3+イオン寿命の修飾を調べた。均一薄膜に関して,四種類の金属Ag,Au,Ti及びCrと一種類の半導体Si層の被覆層効果を調べた。実験結果と古典的双極振動子モデル間の比較を示してEr3+イオンの放射特性に関する優れた制御が誘電体界面からのそれらの距離を変調することによって達成できることが分った。更に,六角ナノホールアレイ形で秩序化ナノ構造層の効果に関する予備的結果も示した。これらのナノ構造は異常な光透過現象と表面プラズモンポラリトンモードとの共鳴結合の可能性の組合せから生じる局所状態密度修飾を通した発光体の放射性寿命を特別仕立てする有望な可能性を有することを期待した。
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分類 (3件):
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塩基,金属酸化物  ,  酸化物薄膜  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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