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J-GLOBAL ID：201502271065025682   整理番号：15A0633201

シリコン中の1個のドナーと2個のドナーに関する理論

Theory of one and two donors in silicon
著者 (5件)：
SARAIVA A L

SARAIVA A L について

(Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA)

Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA について

, 
SARAIVA A L

SARAIVA A L について

(Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, BRA)

Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, BRA について

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BAENA A

BAENA A について

(Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, BRA)

Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, BRA について

, 
CALDERON M J

CALDERON M J について

(ICMM-CSIC, Madrid, ESP)

ICMM-CSIC, Madrid, ESP について

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KOILLER Belita

KOILLER Belita について

(Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, BRA)

Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, BRA について


資料名：
Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)

Journal of Physics. Condensed Matter について


巻： 27  号： 15  ページ： 154208,1-14  発行年： 2015年04月22日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ケイ素

ケイ素 について

, 
*ドナー

ドナー について

, 
電子相関

電子相関 について

, 
配置間相互作用

配置間相互作用 について

, 
Hubbard模型

Hubbard模型 について

, 
HMO法

HMO法 について

, 
LCAO-MO法

LCAO-MO法 について

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二電子系

二電子系 について

, 
一電子系

一電子系 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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Hueckel分子軌道法

Hueckel分子軌道法 について


分類 (1件)：
分類
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不純物・欠陥の電子構造 
(BM02100I)

不純物・欠陥の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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シリコン

シリコン について

, 
ドナー

ドナー について

, 
理論

理論 について


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