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J-GLOBAL ID:201502271079900900   整理番号:15A0743412

半導性ジグザグカーボンナノチューブにおける電子輸送に及ぼす空孔の影響

Effects of Vacancies on the Electron Transport in Semiconducting Ziagzag Carbon Nanotubes
著者 (2件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 473-477  発行年: 2015年03月 
JST資料番号: W2377A  ISSN: 1546-1955  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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空孔を含む半導体ジグザグカーボンナノチューブにおける電子輸送を,モンテカルロ法を用いて調査した。(13,0)および(10,)ナノチューブに対する定常状態ドリフト速度と移動度を,電界強度,空孔の濃度および格子温度の関数として計算した。ドリフト速度の安定状態は,空孔が導入される時に目立たなくなり得る。さらに,空孔が含まれる時に,ドリフト速度の安定状態と負性微分抵抗の両者は弱まり,目立たなくなるか,または完全に無くなる傾向をもち,空孔濃度と温度に依存する。
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分類 (2件):
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半導体結晶の電気伝導  ,  固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (5件):
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