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J-GLOBAL ID：201502271159492241   整理番号：15A0457990

フォトリソグラフィー金属リフトオフ加工を用いた高性能上部接触縮合チオフェン-ジケトピロロピロール共重合体トランジスタ

High performance top contact fused thiophene-diketopyrrolopyrrole copolymer transistors using a photolithographic metal lift-off process

著者 (10件)： XIE Yingtao (Dep. of Electronic Engineering, National Engineering Lab for TFT-LCD Key Materials and Technologies, Shanghai Jiao ...) ,  OUYANG Shihong (Dep. of Electronic Engineering, National Engineering Lab for TFT-LCD Key Materials and Technologies, Shanghai Jiao ...) ,  WANG Dongping (Dep. of Electronic Engineering, National Engineering Lab for TFT-LCD Key Materials and Technologies, Shanghai Jiao ...) ,  LEE Wen-Ya (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., 381 North-South Mall, Stanford, CA 94305, USA) ,  BAO Zhenan (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., 381 North-South Mall, Stanford, CA 94305, USA) ,  MATTHEWS James R. (Corning Inc., SP-FR-06-1, Corning, NY 14831, USA) ,  NIU Weijun (Corning Inc., SP-FR-06-1, Corning, NY 14831, USA) ,  BELLMAN Robert A. (Corning Inc., SP-FR-06-1, Corning, NY 14831, USA) ,  HE Mingqian (Corning Inc., SP-FR-06-1, Corning, NY 14831, USA) ,  FONG Hon Hang (Dep. of Electronic Engineering, National Engineering Lab for TFT-LCD Key Materials and Technologies, Shanghai Jiao ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 20  ページ： 55-62  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 上部接触金属リフトオフ加工を用いて,高性能縮合チオフェン-ジケトピロロピロール共重合体(PTDPPTFT4)上部接触トランジスタを作製した。ネガ型フォトレジストに基づくリフトオフ法を用い,有機半導体チャネル上のi線のフォトリソグラフィーパターン形成によってソースドレイン(S/D)の上部金属接触を直接形成した。フッ素化造影剤(Orthogonal OScR 2312)を用いた場合,素子は2.56cm²V^-1s^-1までの電界効果移動度とオン/オフ比率>10⁷を示し,10μmまで正確にパターン形成したチャンネル長を有した。大きな劣化を示すフッ素化フォトレジストではなく,AZnLOF 2020等の市販ネガ型フォトレジストを用いたリフトオフ加工から素子を作製した。脱イオン(DI)水,テトラメチル水酸化アンモニウム(TMAH)現像水溶液および有機剥離剤は浸漬試験時にPTDPPTFT4トランジスタの性能を外見上劣化させなかった。実際,観察した劣化はTMAH現像液中の非暴露フォトレジストの不完全現像に起因した。実際,有機半導体表面上におけるレジスト残留物の生成のため,これはPTDPPTFT4チャネルに有害になった。本残留物は最終的に金属接触蒸着上のS/D接触抵抗を大きく増大させる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  現像液 ,  微細加工 ,  有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  *共重合体 ,  パターン形成 ,  電流電圧特性 ,  フォトレジスト
準シソーラス用語： リフトオフ加工 ,  *OTFT

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 2,5-ジヘキサデシル-1-(2-チエニル)-4-[5-(1,5-ジヘプタデシル-3,4,7,8-テトラチアジシクロペンタ[a,e]ペンタレン-6-イル)-2-チエニル]ピロロ[3,4-c]ピロール-3,6(2H,5H)-ジオン

タイトルに関連する用語 (7件)： フォトリソグラフィー ,  リフトオフ加工 ,  高性能 ,  縮合 ,  チオフェン ,  共重合体 ,  トランジスタ