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J-GLOBAL ID:201502271250084555   整理番号:15A0247723

SOFC用のCuOドープCe0.9Gd0.1O2-δ電解質の合成と特性

Synthesis and properties of CuO-doped Ce0.9Gd0.1O2- electrolytes for SOFCs
著者 (8件):
資料名:
巻: 41  号: 3 PA  ページ: 4161-4168  発行年: 2015年04月 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高分子前駆体法により合成したGdドープセリア(Ce0.9Gd0.1O2-δ,CGO)の結晶構造,緻密化,及び微細構造に対する酸化銅(CuO)添加効果を調べた。Ce0.9-xGd0.1CuxO2-δ(0≦x≦0.01)前駆体粉末は600°C,1時間,仮焼し,その相形成をRietveld精密化分析と組合せた粉末X線回折により調べた。相対密度測定と微細構造分析を,空気中,1000-1100°Cの温度範囲で焼結したペレットに対して行った。焼結助剤としてのCuOの効果は,その含有量が0.5-1モル%のとき良く見えるようになり,その相対密度は1000°Cと低い温度で焼結したとき98%と分った。1モル%CuOドープCGOセラミックの焼結温度が大きく低下(最大~500°C)するのが,Gd2O3-CeO2-CuOの溶解相と共に観測された。100°Cで焼結したCe0.89Gd0.1Cu0.01-yO2-δは600°Cで,1500°Cで焼結したCe0.9Gd0.1O2-δ(12.4mScm-1)よりも高い15.5mScm-1の全電気伝導率を見せた。高分子前駆体法は,CuOドープCe0.89Gd0.1Cu0.01-yO2-δ固溶体の調製が可能な合成法である。Cu2+をドープすると,ガドリニアドープセリアの焼結性が改善される。98%の理論密度が1000°Cで焼結した後得られた。1モル%CuOを添加しても,CGOの全電気伝導率に劣化効果は生じなかった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  燃料電池 
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