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J-GLOBAL ID：201502271969240710   整理番号：15A0549243

高性能フレキシブル電界エミッタのための化学的にドープした3次元多孔質グラフェンモノリス

Chemically doped three-dimensional porous graphene monoliths for high-performance flexible field emitters

著者 (16件)： KIM Ho Young (Nano Hybrid Technol. Res. Center, Korea Electrotechnology Res. Inst. (KERI), Changwon 642-120, South Korea. ...) ,  JEONG Sooyeon ,  JEONG Seung Yol ,  BAEG Kang-Jun ,  HAN Joong Tark ,  JEONG Mun Seok ,  LEE Geon-Woong ,  JEONG Hee Jin ,  KIM Ho Young (Nano Hybrid Technol. Res. Center, Korea Electrotechnology Res. Inst. (KERI), Changwon 642-120, South Korea. ...) ,  JEONG Sooyeon ,  JEONG Seung Yol ,  BAEG Kang-Jun ,  HAN Joong Tark ,  JEONG Mun Seok ,  LEE Geon-Woong ,  JEONG Hee Jin
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 12  ページ： 5495-5502  発行年： 2015年03月28日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンナノシートに基づく電界エミッタの作製の最近の進歩にもかかわらず,電子トンネル障壁の高さとともに電界増強の程度に影響を与える形態学的および電気的特性は,より優れた電界放出特性を可能にするように制御されるべきである。ここでは,高い電界増強因子と低仕事関数をもつグラフェンベースのエミッタの合成を可能にする方法を報告する。この方法は,化学的ドーピングによる高濃度のグラフェンペーストの凍結乾燥とそれに続く仕事関数のエンジニアリングにより,モノリシックな3次元(3D)グラフェン構造を形成することを含んでいる。凍結乾燥プロセスによって,垂直に整列したエッジを有するグラフェン構造の作製に成功した。さらに,それらの数密度はグラフェンペーストの組成を変えることで制御することができた。グラフェンシートに,対応するドーパント溶液を導入することで,AlおよびAuをドープしたグラフェンエミッタを作製した。得られたエミッタの電界放出特性を検討した。合成した3次元グラフェンのエミッタは非常にフレキシブルであり,大きな角度で曲げられた場合でもその電界放出特性を維持した。これは,3Dグラフェンエミッタと基板間の強力な相互作用とともに,高い結晶性および3Dグラフェンエミッタのエミッタ密度および良好な化学的安定性に起因している。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *電極 ,  *多孔質体 ,  *グラフェン ,  三次元 ,  仕事関数 ,  インダストリアルデザイン ,  アルミニウム ,  金 ,  *電界放出 ,  柔軟性 ,  ドーピング ,  凍結乾燥
準シソーラス用語： フレキシビリティ ,  モノリス ,  化学ドーピング ,  工学設計 ,  *電界エミッタ

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  電界エミッタ ,  化学 ,  ドープ ,  3次元 ,  多孔質