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J-GLOBAL ID：201502272277571683   整理番号：15A0510233

実用化へ加速!SiC半導体と周辺技術開発の最新動向 解説1 先進パワー半導体のモジュール化技術

著者 (1件)： 山口浩 (産業技術総合研)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 63  号： 5  ページ： 24-28  発行年： 2015年05月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCなどの先進パワー半導体の構成,構造について説明するとともに,適用に当たって必要となるモジュール技術の高度化に関する研究開発動向を述べた。スイッチ機能を持つ複数のパワー半導体を同じパッケージに納めたパワーモジュールの構成と,ケース形,モールド形および両面接合形の各パワーモジュールの構造を示した。SiCパワー素子の性能を生かすための研究課題として,低損失化,高速動作化,高温動作化,機能集積化を説明した。現状モジュール技術は必ずしもSiC素子が持っている能力を生かし切れてはおらず,性能向上の余地は大きい。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  *回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス ,  モジュール構造 ,  半導体 ,  スイッチング ,  スイッチ回路 ,  高速化 ,  耐熱性 ,  集積 ,  集積回路
準シソーラス用語： スイッチング回路 ,  パワーデバイス ,  パワーモジュール ,  高集積化 ,  炭化ケイ素素子 ,  低損失半導体

分類 (1件)： 混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 実用化 ,  加速 ,  周辺技術 ,  開発 ,  最新動向 ,  パワー半導体 ,  モジュール化