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J-GLOBAL ID：201502272809963305   整理番号：15A0169663

金属フリーシリコンドープ六方晶窒化ホウ素ナノシートおよびナノチューブは,CO酸化に対して活性を示すことができるか?

Can metal-free silicon-doped hexagonal boron nitride nanosheets and nanotubes exhibit activity toward CO oxidation?

著者 (3件)： LIN Sen (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  YE Xinxin (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  HUANG Jing (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 2  ページ： 888-895  発行年： 2015年01月14日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素空孔にSi原子が埋め込まれた六方晶窒化ホウ素ナノシートおよびナノチューブを,DFT法により調査した。計算結果は,Si-BNNSとSi-BNNTが,無欠陥h-BNに匹敵する安定性を有することを示した。酸素分子は,酸素の2p状態とSi原子の3p状態間の強いカップリングに起因して,Siドーパントにより効率的に活性化されることを見出した。Eley-Rideal反応に従う反応CO+O₂→CO₂+Oの計算したエネルギー障壁は0.29eVであり,従来の貴金属触媒の値よりはるかに低い。CO+O→CO₂の反応は,エネルギー障壁が1.06eVであって,非常にに困難である。

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  *ナノ構造 ,  膜 ,  ナノチューブ ,  *触媒活性 ,  空格子点 ,  密度汎関数法 ,  酸素 ,  二原子分子 ,  カップリング反応 ,  ドーパント ,  活性化 ,  一酸化炭素 ,  二酸化炭素 ,  障壁 ,  ナノシート
準シソーラス用語： DFT【関数】 ,  エネルギー障壁 ,  カップリング ,  シリコン ,  ドープ ,  空孔【点欠陥】 ,  酸素分子 ,  *六方晶窒化ホウ素

分類 (2件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 六方晶窒化ホウ素 ,  ナノシート ,  ナノチューブ ,  CO酸化 ,  活性