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J-GLOBAL ID:201502272967358079   整理番号:15A0645118

グラフェンネットワークおよび偏析構造をもつグラフェン-エポキシ化天然ゴム複合材料の自由体積特性に及ぼすその影響: レオロジーおよび陽電子消滅研究

Graphene networks and their influence on free-volume properties of graphene-epoxidized natural rubber composites with a segregated structure: rheological and positron annihilation studies
著者 (8件):
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巻: 17  号: 18  ページ: 12175-12184  発行年: 2015年05月14日 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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偏析したグラフェン(GE)ネットワークをもつエポキシ化天然ゴム-グラフェン(ENR-GE)複合材料を,その場還元法と組み合わせたラテックス混合を用いて製造した。ENR-GE複合材料のレオロジー挙動および電気伝導度を調べた。低周波数では,貯蔵弾性率(G’)は,周波数に依存せず,固体状レオロジー挙動およびGEネットワークの形成を示唆した。パーコレーション理論により,ENR-GE複合材料のレオロジー閾値は0.17体積%と計算された,これは0.23体積%の電気的閾値よりも低い。両パーコレーション閾値は,複合材料におけるGEネットワークの進化に依存した。低いGE濃度(<0.17体積%)で,GEは個々の単位として存在したが,GE濃度が0.17体積%を超えると「ポリマー架橋GEネットワーク」が複合材料中に構築された。最後に,パーコレーション導電性経路をもつ「三次元GEネットワーク」が0.23体積%のGe濃度で形成されて,ENR-GE複合材料の導電率の著しい増加が観察された。複合材料の原子スケール自由体積特性に及ぼすGEの効果を,陽電子消滅寿命測定法と陽電子時効運動量相関測定により調べた。ENR鎖の運動は,「GEネットワーク」の幾何学的閉じ込めにより遅延されて,GEナノプレートレット近傍に高濃度の界面領域を生成した。これは,低いオルトポジトロニウム寿命強度と小さい自由体積の正孔サイズをもたらした。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
分類
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有機化合物の電気伝導  ,  陽電子消滅 

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