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J-GLOBAL ID：201502273267350901   整理番号：15A0746967

非金属原子をドープしたホスホレンの磁気的性質の第一原理研究

A first-principles study on the magnetic properties of nonmetal atom doped phosphorene monolayers

著者 (5件)： ZHENG Huiling (Key Lab. of Physics and Technol. for Advanced Batteries (Ministry of Education), Dep. of Physics, Jilin Univ. ...) ,  ZHANG Jianmin ,  YANG Baishun ,  DU Xiaobo ,  YAN Yu
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 25  ページ： 16341-16350  発行年： 2015年07月07日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導性ホスホレンのスピントロニクス素子利用での二次元半導体の磁性を誘導する,H,F,Cl,Br,I,B,C,Si,N,As,O,SおよびSeを含む一連の非金属原子をドープしたホスホレン単分子層の特異な化学および電子物性,幾何構造,電子および磁気的性質を,第一原理計算を用いて系統的に研究した。結果は,H,F,Cl,Br,I,B,N,O,SあるいはSeの置換型ドーピングは,ホスホレン単分子層のドーピングサイトにおける大きな構造的変形をもたらし,ドープした系の全ての中性非金属原子は安定であった。計算した変形エネルギーは,ホスホレン単分子層中の多くの非金属原子の置換型ドーピングが適切な実験条件下で可能であり,帯電したドープ剤C^-,Si^-,S⁺およびSe⁺は安定であった。更に,H,F,Cl,Br,I,B,N,As,C^-,Si^-,S⁺あるいはSe⁺の置換型ドーピングは,ドープ剤あるいはその隣接P原子の価電子の飽和あるいは対形成のため,ホスホレン単分子層に磁性を誘起しなかったのに対して,中性C,Si,O,SあるいはSeドープ系の基底状態では,CおよびSiの不対価電子の出現あるいは,O,SおよびSe周辺の隣接P原子の非結合性3p電子の形成により,磁性であった。その上に,Si,O,SあるいはSeの二つにより誘起されるモーメント間の磁気結合は遠距離反強磁性であり,この結合は分極電子が関与する混成相互作用に起因するのに対して,二つのCにより誘起されるモーメント間の結合は弱かった。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *非金属材料 ,  *ドーピング ,  *リン化合物 ,  *磁気的性質 ,  第一原理 ,  密度汎関数法 ,  半導性 ,  スピントロニクス ,  *磁性半導体 ,  半導体 ,  *磁性 ,  水素 ,  フッ素 ,  塩素 ,  臭素 ,  ヨウ素 ,  ホウ素 ,  炭素 ,  ケイ素 ,  窒素 ,  ヒ素 ,  単分子層 ,  電子 ,  物理的性質 ,  構造 ,  置換型原子 ,  変形 ,  帯電 ,  安定性 ,  価電子 ,  対合 ,  酸素 ,  硫黄 ,  セレン ,  基底状態 ,  モーメント ,  電磁結合 ,  反強磁性
準シソーラス用語： 磁気結合

分類 (3件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 金属原子 ,  ドープ ,  ホスホレン ,  磁気的性質 ,  第一原理 ,  研究