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J-GLOBAL ID：201502273390985326   整理番号：15A0306265

原子層堆積法によるシリコン窒化膜形成の反応メカニズム検討

著者 (2件)： 村田逸人 (太陽日酸) ,  鈴木克昌 (太陽日酸)
資料名： 大陽日酸技報(Web)  (Taiyo Nippon Sanso Technical Report (Web))
号： 33  ページ： WEB ONLY  発行年： 2014年11月28日 
JST資料番号： U0260A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン窒化膜(SiN膜)形成法としては,プラズマ支援CVD法や熱CVD法が古くから知られているが,原子層堆積法(ALD法)が注目されている。また,成膜温度としては,熱CVDで一般的とされる温度よりも150°C以上低い400°C以下が要求されている。難易度の高い目標であり,各社とも研究開発の域を出ていない状況である。このような中, Siプリカーサ吸着工程と窒化工程を繰り返すALD法の特徴を勘案し,工程別に反応メカニズムおよび成膜温度低減策を検討している。ここでは,理論化学計算を用いた予測と,管状炉を用いた成膜実証に基づく計算結果の妥当性検証について,取組み経過を報告した。

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  単原子層 ,  *窒化ケイ素 ,  構成 ,  *反応機構 ,  薄膜成長 ,  プリカーサ ,  吸着 ,  窒化 ,  表面反応
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  *薄膜形成 ,  成膜

分類 (2件)： 反応操作(単位反応)  (XE01040I) ,  薄膜一般  (BK14010X)

引用文献 (1件)：

• V. Miikkulainen, M. Leskela, M. Ritala, R. L. Puurunen. Crystallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition : Overview and general trends. J. Appl. Phys. 113, 021301 (2013).

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子層堆積法 ,  シリコン窒化膜 ,  反応メカニズム