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J-GLOBAL ID：201502273608670845   整理番号：15A0429915

炭化ケイ素の種結晶化昇華成長における核生成と異質多形包接物の伝播への巨視的アプローチ

Macroscopic Approach to the Nucleation and Propagation of Foreign Polytype Inclusions during Seeded Sublimation Growth of Silicon Carbide

著者 (6件)： TSAVDARIS Nikolaos (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  ARIYAWONG Kanaparin (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  DEDULLE Jean-Marc (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  SARIGIANNIDOU Eirini (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  CHAUSSENDE Didier (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  CHAUSSENDE Didier (LMGP, CNRS, Grenoble, FRA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 15  号： 1  ページ： 156-163  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非接触状態で合成した単一の結晶多形4H-SiCの核生成と異質の多形包接物の発生を実験と数値シミュレーションによって研究した。その結果,{0001}ファセットの存在と2D核生成エネルギーの極小化が同時に同じ場所で起きると,異質の多形の核生成は最高確率を示すことがわかった。異質多形の核生成確率を下げるために,成長界面の成長に伴う過飽和の変化のような2D核生成エネルギーの極小化を回避しなければならない。異質多形が形成されるとその包接量の拡大が全体の成長界面との相互作用に直接関連する。横方向,即ち基底面では包接と成長前線の両方が同じ進行方向を示すと包接が伝播した。局所結晶面と基底面の間の角度が小さいとその膨張速度は急激に増大した。正規の方向では膨張は包接物の成長中心の存在と多形の複製を比較した相対的強度に依存している。異なる成長中心間の競合を考慮するとラメラが形成されるかあるいは異質多形に完全変換するか解明できるであろう。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *多形 ,  *核形成 ,  包接化合物 ,  計算機シミュレーション ,  *ファセット ,  *エネルギー ,  確率 ,  過飽和
準シソーラス用語： *生成エネルギー

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭化ケイ素 ,  種結晶 ,  昇華 ,  成長 ,  核生成 ,  多形 ,  包接物 ,  伝播