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J-GLOBAL ID：201502273967487452   整理番号：15A0647927

化学溶液堆積による強誘電体ドーピングBiFeO₃ベース薄膜における大きな抵抗スイッチングおよびスイッチャブル光起電応答

Large resistive switching and switchable photovoltaic response in ferroelectric doped BiFeO₃-based thin films by chemical solution deposition

著者 (5件)： ZHANG Linxing (Dep. of Physical Chemistry, Univ. of Sci. and Technol. Beijing, Beijing 100083, China. [e-mail] ...) ,  CHEN Jun ,  CAO Jiangli ,  HE Dongyu ,  XING Xianran
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 18  ページ： 4706-4712  発行年： 2015年05月14日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリーデバイス中の強誘電体の分極状態を識別する破壊読出し信号は,長らく,その市販応用のボトルネックと見なされていた。強誘電体の抵抗スイッチングとスイッチャブル光起電効果両者は,非破壊読出しのための複数の取捨選択を提供した。費用効果的な化学溶液堆積により製造された多結晶性強誘電体BiFeO₃ベースの薄膜は,大きな抵抗スイッチング(オン/オフ比率~10⁴により)を示したが,この値は,スイッチャブルダイオードとトンネル接合に匹敵した。更に,スイッチャブル光起電応答は,安定なスイッチングと良好な保持特性を示した。抵抗スイッチング電流,短絡回路電流および分極電圧対開回路電圧の標準ヒステリシス曲線は,強誘電体分極による直接的に履歴モジュレーションを示したが,これは,多結晶性BiFeO₃ベース膜における最初のエビデンスであった。本膜は,複数の選択をもつ非破壊強誘電体メモリーデバイスに対する有望な候補であると考えられた。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 光電素子 ,  *強誘電体 ,  ドーピング ,  *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  *薄膜 ,  スイッチング ,  電気抵抗 ,  *光起電力 ,  *応答特性 ,  記憶装置 ,  分極 ,  認識 ,  読取装置 ,  信号 ,  障害 ,  *光起電力効果 ,  選択 ,  経済効果 ,  多結晶 ,  比率 ,  スイッチング素子 ,  電流 ,  ダイオード ,  トンネル接合 ,  安定性 ,  短絡電流 ,  電圧 ,  ヒステリシス ,  信号変調 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ボトルネック ,  メモリデバイス ,  モジュレーション ,  開回路電圧 ,  *酸化物薄膜 ,  識別 ,  取捨選択 ,  短絡回路電流 ,  抵抗スイッチング ,  読出装置 ,  費用効果

分類 (5件)： 光電デバイス一般  (NC03081P) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学溶液堆積 ,  強誘電体 ,  ドーピング ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  抵抗スイッチング ,  応答