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J-GLOBAL ID：201502274217825107   整理番号：15A0701301

抵抗標準のための単層グラフェンQHE装置におけるFermi準位の制御

Controlling the Fermi Level in a Single-Layer Graphene QHE Device for Resistance Standard

著者 (6件)： FUKUYAMA Yasuhiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  ELMQUIST Randolph E. (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  HUANG Lung-I (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  YANG Yanfei (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  LIU Fan-Hung (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  KANEKO Nobu-hisa (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement  (IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement)
巻： 64  号： 6  ページ： 1451-1454  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： C0232A  ISSN： 0018-9456  CODEN： IEIMAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC基板上にグラフェンQHR(量子Hall抵抗)を試料を加工した。この試料のキャリア密度を電子輸送測定値によって推定した。試料のFermi準位を制御するために,水素インターカレーションと光化学作用開閉を使用した。この方法では,Fermi準位がDirac点にわたって動くことが観測された。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *Fermi準位 ,  量子Hall効果 ,  標準器 ,  炭化ケイ素 ,  キャリア密度 ,  磁束密度 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  電子線レジスト ,  インターカレーション ,  光化学 ,  *電気抵抗 ,  計測
準シソーラス用語： *単層グラフェン ,  SiC ,  PMMA ,  電子ビームレジスト ,  電子輸送測定

分類 (1件)： R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 標準 ,  単層グラフェン ,  Fermi準位