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J-GLOBAL ID：201502274661119375   整理番号：15A0520633

Si(001),Si(011)およびSi(111)ウエハに埋め込んだCoSi₂六角形ナノプレートレットの広いアレイの制御成長

Controlled growth of extended arrays of CoSi₂ hexagonal nanoplatelets buried in Si(001), Si(011) and Si(111) wafers

著者 (8件)： KELLERMANN G. (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Parana, Caixa Postal 19091, Curitiba, Parana 81531-990, BRA) ,  MONTORO L. A. ,  GIOVANETTI L. J. ,  DOS SANTOS CLARO P. C. ,  ZHANG L. ,  RAMIREZ A. J. ,  REQUEJO F. G. ,  CRAIEVICH A. F.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 7  ページ： 4945-4951  発行年： 2015年02月21日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CoSi₂ナノ構造体は高い電気伝導率のためにマイクロエレクトロニクスデバイスにおいて電極配線および接点として用いられる秩序化ナノアレイを調製するための候補となる可能性がある。本論文においては予めCoドープSiO₂薄膜を蒸着したさまざまな配向の単結晶Siウエハに埋め込んだ六角形CoSi₂ナノプレートレットのエンドタキシャル成長のための制御手順を報告した。これらのナノ材料は3種類の異なる配向の平坦なSi基板すなわちSi(001),Si(011)およびSi(111))の表面へ蒸着したCoドープSiO₂薄膜のHe雰囲気下750°Cにおける等温アニール処理からなるクリーンな手順によって得た。埋め込んだCoSi₂ナノプレートレットはすべての場合にCo原子のシリコンウエハ中への拡散およびホストSi原子との反応の結果として自発形成された。TEMおよびGISAXS分析によればこれらのアレイはホストSi配向に関りなくすべての場合にSi{111}結晶面に平行なCoSi₂六角形ナノプレートレットからなっていた。さらに,3種類の異なるホストSi単結晶配向についてナノプレートレットの寸法をTEMおよびGISAXSによって矛盾なく決定した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *コバルト化合物 ,  *ケイ化物 ,  *アレイ ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： ナノアレイ ,  ナノプレートレット

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ウエハ ,  角形 ,  ナノプレートレット ,  アレイ ,  成長