文献

J-GLOBAL ID：201502274928912894   整理番号：15A0646361

単一源先駆物質としての[Cu(ⁱBu₂PS₂)(PPh₃)₂]および[In(ⁱBu₂PS₂)₃]からのCu_2-xS,In₂S₃およびCuInS₂薄膜のAACVD

AACVD of Cu_2-xS, In₂S₃ and CuInS₂ thin films from [Cu(ⁱBu₂PS₂)(PPh₃)₂] and [In(ⁱBu₂PS₂)₃] as single source precursors

著者 (6件)： MALIK Sajid N. (Schools of Chemistry and Materials, The Univ. of Manchester, Oxford Road, Manchester, M13 9PL UK. ...) ,  MALIK Abdul Qadeer ,  MEHMOOD Rana Farhat ,  MURTAZA Ghulam ,  ALGHAMDI Yousef G. ,  MALIK Mohammad Azad
資料名： New Journal of Chemistry  (New Journal of Chemistry)
巻： 39  号： 5  ページ： 4047-4054  発行年： 2015年05月06日 
JST資料番号： H0785A  ISSN： 1144-0546  CODEN： NJCHE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [In(ⁱBu₂PS₂)₃]および[Cu(ⁱBu₂PS₂)(PPh₃)₂]錯体が合成され単一源先駆物質として使用され,350~500°Cでのエーロゾル-アシスト化学蒸着(AACVD)によってガラス基体上でそれぞれ立方In₂S₃およびCu_2-xSの薄膜がデポジットされた。1:1モル比の[In(ⁱBu₂PS₂)₃] および[Cu(ⁱBu₂PS₂)(PPh₃)₂]を用いて,CuInS₂の薄膜もデポジットされた。X線回折(XRD),走査型電子顕微鏡法(SEM)およびエネルギー分散X線回折(EDX)技術によって,デポジットされた薄膜が特性評価された。異なる温度での膜のデポジションが,化学量論および微細構造の大きな変化を示した。CuInS₂薄膜はドデカンチオールと一緒のトルエン中で3時間超音波処理され,およそ18±2nmの直径および1.59eVのバンドギャップをもつCuInS₂ナノ結晶子の懸濁液が得られた。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *エアロゾル ,  *化学蒸着 ,  インジウム化合物 ,  銅化合物 ,  硫化物 ,  硫化銅 ,  *銅錯体 ,  *ホスフィン錯体 ,  微細構造 ,  処理 ,  バンドギャップ ,  懸濁液 ,  薄膜成長 ,  インジウム錯体 ,  *有機リン化合物 ,  芳香族化合物
準シソーラス用語： 超音波処理 ,  硫化インジウム ,  硫化銅インジウム

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (3件)： 1-ドデカンチオール ,  トリフェニルホスフィン ,  ジイソブチルジチオホスフィン酸銅(I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 先駆物質 ,  Cu ,  CuInS2 ,  薄膜