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J-GLOBAL ID:201502276267148320   整理番号:15A0062489

低温でのサファイア上のZnO薄膜の滑らかな表面形態【Powered by NICT】

Smooth Surface Morphology of ZnO Thin Films on Sapphire at Low Temperature
著者 (11件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 542-547  発行年: 2014年 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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低温で成長したZnO薄膜は,ZnO中のアクセプタのヘテロ構造と十分なドーピングレベルで鋭い界面に有利である。一般的に,滑らかな成長が600°Cよりも高いが,低い成長温度の場合困難で容易に得ることができた。本研究では,成長雰囲気と成長速度を制御することにより,滑らかな表面を持つ一連のZnO薄膜を,プラズマ支援分子ビームエピタクシー(ポム)により450°Cでa面サファイア基板上に成長させた。成長は酸素リッチ雰囲気中で行った。成長速度を調節するために,亜鉛フラックスは亜鉛源(T_k)のKセル温度を変えることにより変化させた酸素フラックスを一定に保持した。試料の成長速度は40~100nm/hであった。走査電子顕微鏡(SEM)画像は高亜鉛フラックスで薄膜表面上に不規則な結晶粒が多くあることを示し,粒子の大部分は亜鉛フラックス減少に伴って表面から徐々に消失した。低成長速度で順調に成長した多層構造における層厚さと滑らかさを微細に制御するための助けとなる。二乗平均平方根(RMS)表面粗さは0~238nm,原子間力顕微鏡(A FM)により測定した。平滑表面は低成長速度とc面ZnO薄膜とa面サファイア基板の間の小さい格子ミスマッチから利益を得ている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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