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J-GLOBAL ID:201502276320344721   整理番号:15A0373810

Tb3+をドープしたY4Si2O7N2緑色発光蛍光体のフォトルミネッセンス機構と熱安定性

Photoluminescence Mechanism and Thermal Stability of Tb3+-Doped Y4Si2O7N2 Green-Emitting Phosphors
著者 (6件):
資料名:
巻: 98  号:ページ: 867-872  発行年: 2015年03月 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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固相反応法で一連のY4Si2O7N2:Tb3+蛍光体を高温と高圧条件下で調製した。室温と高温でのフォトルミネッセンス特性を調べた。2グループの輝線が観察され,Tb3+5D37FJ(J=6,5,4,3,2)と5D47FJ(J=6,5,4,3)遷移に対応した。励起,発光,濃度消光及び熱消光の物理的なメカニズムを調べた。5D35D4との間のクロス緩和機構を調べ,考察した。クロス緩和のためのTb-Tb限界距離を~13Åと計算した。この蛍光体における最適なTb3+濃度は15モル%であった。4重極-4重極相互作用がTb3+発光中心間の非放射性エネルギー移動を支配し,濃度消光を起こす。この蛍光体は高い熱安定性を示し,室温で測定したものと比較して150°Cで92%の発光強度を保持した。本研究から,このTb3+をドープしたY4Si2O7N2材料は有望な緑色発光蛍光体の一種であることを示唆した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  無機化合物のルミネセンス 
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