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J-GLOBAL ID：201502276381630263   整理番号：15A0581186

ナノ構造化メチルバイオレット2B薄膜の電気伝導機構と誘電率

Electrical conduction mechanisms and dielectric constants of nanostructured methyl violet 2B thin films

著者 (4件)： ZEYADA H. M. (Univ. of Damietta, Dep. of Physics, Fac. of Sci., 34517, New Damietta, Egypt) ,  MAKHLOUF M. M. (Univ. of Damietta, Dep. of Physics, Fac. of Sci., 34517, New Damietta, Egypt) ,  MAKHLOUF M. M. (Taif Univ., Dep. of Physics, Fac. of Applied Medical Sciences at Turabah, 21995, Taif, Saudi Arabia) ,  MAKHLOUF M. M. (Demiatta Cancer Inst., Dep. of Physics, Damietta, Egypt)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 119  号： 3  ページ： 1109-1118  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 96~300nmの範囲の厚さを持つメチルバイオレット2B(MV2B)の均一な薄膜をスピンコーティング法により作製するのに成功した。X線回折はMV2Bの粉末及び原薄膜が非晶質構造を持つことを示した。非晶質原膜は433Kでのアニーリング後に多形ナノ結晶になった。MV2Bの電気的性質を調べた。膜厚差・温度・周波数など,MV2B薄膜の電気的性質及び誘電率に関する性能に著しく影響する多くの動作環境が存在した。MV2B膜のDC伝導率は温度増大と共に増大することが分かった。288~360Kの温度範囲では,0.16eVの活性化エネルギーを持つ外因性伝導機構が作用し,外因性領域における伝導は可変領域ホッピングに対するMottモデルの適用を介して説明された。360K以上の温度では,0.91eVの活性化エネルギーを持つ固有伝導機構が作用した。固有領域における伝導はバンド-バンド遷移理論を適用して説明された。また,365~473Kの温度範囲及び0.1~100kHzの周波数範囲において,MV2B薄膜のAC電気伝導率及び誘電緩和を調べた。相関障壁ホッピング(CBH)モデルから生成した理論曲線は実験結果との最良の適合を与えることを示した。これらの結果の解析は,伝導が局在状態間のフォノン支援ホッピングにより起こること,及びそれは二ポーラロンホッピング機構により行われることを証明した。誘電率の実部と虚部両方の温度及び周波数依存性を調べた。Copyright 2015 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *スピンコーティング ,  *誘電率 ,  温度依存性 ,  周波数依存性 ,  アニーリング【現象】 ,  *ナノ結晶 ,  電気伝導率 ,  活性化エネルギー ,  *ホッピング伝導 ,  誘電緩和 ,  電子遷移 ,  X線回折 ,  *有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  多形 ,  Mott転移 ,  脂環式化合物 ,  芳香族アミン ,  キノイド化合物 ,  インモニウム ,  ジアミン ,  第三アミン ,  第二アミン
準シソーラス用語： バンド間遷移 ,  可変領域ホッピング伝導 ,  相関障壁ホッピング伝導

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： メチルバイオレット2B

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ構造 ,  メチルバイオレット2B ,  薄膜 ,  電気伝導 ,  誘電率