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J-GLOBAL ID：201502276400759353   整理番号：15A0422464

抵抗スイッチングSiO_xベースMIMデバイスにおける多重ダイオードのような伝導

Multiple Diode-Like Conduction in Resistive Switching SiO_x-Based MIM Devices

著者 (5件)： MIRANDA E. (Univ. Autonoma de Barcelona, Cerdanyola del Valles, ESP) ,  MEHONIC A. (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  BLASCO J. (Univ. Autonoma de Barcelona, Cerdanyola del Valles, ESP) ,  SUNE J. (Univ. Autonoma de Barcelona, Cerdanyola del Valles, ESP) ,  KENYON A.J. (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 14  号： 1  ページ： 15-17  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MIM構造で酸化膜の抵抗スイッチング現象は酸素空孔を伴う酸化還元プロセスによるものであり,シリコンリッチシリカ(SiO_x)でもこの現象が確認されている。酸化膜層初期フォーミング後のI-V特性を説明するのにいくつかの導電モデルがあるが,高抵抗状態(HRS)と低抵抗状態(LRS)を一つの式で説明しているものは無い。本レターは電鋳TiN/SiO_x/TiN構造のI-V特性と合致する,複数のダイオードのような導電構造と直列抵抗の組み合わせから成る等価回路を提案する。モデルは単純だが正確であり,低および高バイアスにおけるI-Vッカーブで示される基本的特徴を捉え,一つの方程式で低抵抗状態と高抵抗状態の両方を扱うことができる。小信号解析と回路シミュレーションに適した微分コンダクタンスの正確な表現も示した。

シソーラス用語： *MIM構造 ,  スイッチング ,  不揮発性メモリ ,  記憶装置 ,  酸化還元反応 ,  空格子点 ,  電流電圧特性 ,  *等価回路 ,  コンダクタンス ,  ヒステリシス ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  酸素空孔 ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗スイッチングメモリ ,  微分コンダクタンス

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗スイッチング ,  MIM ,  多重 ,  ダイオード ,  伝導