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J-GLOBAL ID：201502277115002466   整理番号：15A0506463

InP(311)B基板上InAs量子ドットからの単一光子発生とその温度特性

著者 (8件)： 細井響子 (慶応大) ,  高熊亨 (慶応大) ,  黒澤裕之 (北大) ,  中島秀朗 (北大) ,  赤羽浩一 (情報通信研究機構) ,  熊野英和 (北大) ,  末宗幾夫 (北大) ,  早瀬潤子 (慶応大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12A-A10-4  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： リン化インジウム ,  基板 ,  *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  光子 ,  *光源 ,  MBE成長 ,  放射 ,  光子相関 ,  *光ルミネセンス ,  励起子分子 ,  励起子 ,  温度依存性 ,  InAs量子ドット ,  *単一光子 ,  *単一光子源 ,  光子放射
準シソーラス用語： 光子放出

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  InAs量子ドット ,  単一光子 ,  温度特性