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J-GLOBAL ID：201502277297030346   整理番号：15A0681034

(113)-配向基板表面に成長したCVDダイヤモンド膜中のNV欠陥の優先配向

Preferential orientation of NV defects in CVD diamond films grown on (113)-oriented substrates

著者 (12件)： LESIK M. (Lab. Aime Cotton, CNRS, Univ. Paris-Sud and ENS Cachan, 91405 Orsay, FRA) ,  PLAYS T. (Lab. Aime Cotton, CNRS, Univ. Paris-Sud and ENS Cachan, 91405 Orsay, FRA) ,  TALLAIRE A. (Lab. des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Univ. Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 ...) ,  ACHARD J. (Lab. des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Univ. Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 ...) ,  BRINZA O. (Lab. des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Univ. Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 ...) ,  WILLIAM L. (Lab. des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Univ. Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 ...) ,  CHIPAUX M. (Thales Res. & Technol., 1 avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau Cedex, FRA) ,  TORAILLE L. (Thales Res. & Technol., 1 avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau Cedex, FRA) ,  DEBUISSCHERT T. (Thales Res. & Technol., 1 avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau Cedex, FRA) ,  GICQUEL A. (Lab. des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Univ. Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 ...) ,  ROCH J.F. (Lab. Aime Cotton, CNRS, Univ. Paris-Sud and ENS Cachan, 91405 Orsay, FRA) ,  JACQUES V. (Lab. Aime Cotton, CNRS, Univ. Paris-Sud and ENS Cachan, 91405 Orsay, FRA)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 56  ページ： 47-53  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚肉CVDダイヤモンド層を(113)配向基板表面に首尾よく成長させた。これらは(100)電子グレード材料に匹敵し,かつ(111)成長層よりずっと良好である,平滑な表面微細組織と結晶品質を示した。高い成長速度(15~50μm/h)を獲得し,同時に結晶品質を著しく損なうことなくかなり広い範囲で窒素ドーピングを達成できた。電子スピン共鳴測定を行ってNV中心配向を明らかにしついで(100)-成長層が4個の可能な方向で同一分布を示す場合には1個の特定配向は73%の発生確率をもつことを結論した。約270μsのスピンコヒーレンス時間を測定し,それは類似した同位体純度をもつ材料で報告されている値と同等であった。より高い優先配向度が(111)成長層(ほとんど100%)で達成されたとしても,(113)配向の成長と後加工の容易さはそれを磁気測定法やほかの量子力学応用の目的に合う潜在的に有用な材料とするものである。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  蒸着膜 ,  単結晶 ,  基板 ,  レーザ加工 ,  結晶成長 ,  *プラズマCVD ,  水素 ,  窒素 ,  ドーピング ,  結晶方位 ,  表面構造 ,  *空格子点 ,  *優先配向 ,  走査電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  陰極線ルミネセンス ,  ESR【磁気共鳴】 ,  コヒーレンス ,  アルカン
準シソーラス用語： *CVDダイヤモンド膜 ,  *NV欠陥 ,  スピンコヒーレンス ,  結晶配向

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (7件)： 配向 ,  基板表面 ,  成長 ,  CVD ,  ダイヤモンド膜 ,  欠陥 ,  優先配向