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J-GLOBAL ID：201502277569092290   整理番号：15A0563610

RFマグネトロンスパッタリングで作製した純相の(K_0.5Na_0.5)NbO₃薄膜の光学特性とマイクロ波誘電特性

Optical and Microwave Dielectric Properties of Phase Pure (K_0.5Na_0.5)NbO₃ Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering

著者 (4件)： PEDDIGARI Mahesh (Indian Inst. of Technol. Guwahati, Guwahati, 781039, IND) ,  SINDAM Bashaiah ,  RAJU K.C. James ,  DOBBIDI Pamu
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 98  号： 5  ページ： 1444-1452  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (K_0.5Na_0.5)NbO₃(KNN)薄膜をPt/Ti/SiO₂/Si及び石英基板にRFマグネトロンスパッタリングで作製した。薄膜を400°Cで酸素混合比率(OMP)0~100%で作製後,酸素雰囲気中700°Cでアニールした。膜の結晶化度はOMPと共に増加した。膜の誘電特性を周波数範囲1kHz~1MHz,温度30~400°Cで調べた。膜のキュリー温度は369~373°Cの範囲であった。KNN薄膜のマイクロ波(10~20GHz)誘電特性を調べるためスプリットポスト誘電体共振器(SPDR)法を初めて用いた。作製したままとアニールしたKNN薄膜の光学特性を透過スペクトルで調べた。光学バンドギャップをTauc関係を用いて計算し,作製したままとアニールした膜は各々4.34~4.40eVと4.29~4.37eVの範囲であった。作製したままとアニールした膜の屈折率(n_700nm)は各々1.98~2.01と1.99~2.07の範囲であった。屈折率分散をWemple-DiDomenico(W-D)単一発振器モデルで分析した。屈折率,充填密度及びW-DパラメータへのアニールとOMPによる影響を調べた。アニールしたKNN薄膜の平均単一発振器エネルギー(E₀)と分散エネルギー(E_d)は各々6.17~7.16と18.77~22.19eVの範囲であった。アニールした膜のAC導電率を二重べき乗則で分析した。Ag/KNN/Pt薄膜はオーミック伝導(J∝E^α,α~1)に従い,100%O₂で作製した場合,50kV/cmで3.14×10^-5A/cm²の低い漏れ電流密度を示した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *カリウム化合物 ,  *ナトリウム化合物 ,  *ニオブ酸塩 ,  *誘電体薄膜 ,  基板 ,  白金 ,  チタン ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  石英 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  酸素 ,  焼なまし ,  *誘電性 ,  Curie温度 ,  誘電体共振器 ,  スペクトル ,  光透過 ,  *光学ギャップ ,  *屈折率 ,  発振器 ,  エネルギー ,  分散【dispersion】 ,  *電気伝導率 ,  Ohm接触 ,  電流密度 ,  *漏れ電流 ,  *マイクロ波
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  アニール ,  ニオブ酸カリウムナトリウム ,  マイクロ波誘電特性 ,  光学バンドギャップ ,  透過スペクトル ,  導電率 ,  分散エネルギー ,  誘電特性 ,  漏れ電流密度

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  無機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08084P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  薄膜 ,  光学特性 ,  マイクロ波誘電特性