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J-GLOBAL ID：201502277675828661   整理番号：15A0486496

サファイア(1010)m-面基板と(1012)r-面基板上に成長した銅結晶の方位関係

Orientation relationships of copper crystals on sapphire (1010) m-plane and (1012) r-plane substrates

著者 (6件)： CHATAIN Dominique (Aix-Marseille Univ., CNRS, CINaM UMR 7325, 13288 Marseille, FRA) ,  CURIOTTO Stefano (Aix-Marseille Univ., CNRS, CINaM UMR 7325, 13288 Marseille, FRA) ,  WYNBLATT Paul (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., Pittsburgh, PA 15213, USA) ,  MELTZMAN Hila (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  KAPLAN Wayne D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  ROHRER Gregory S (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., Pittsburgh, PA 15213, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 418  ページ： 57-63  発行年： 2015年05月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： m-面基板およびr-面基板上に堆積した銅薄膜を固体ディウェッティング,あるいは液体ディウェッティングし,1253Kに保った。ディウェッティングした銅結晶とサファイア基板の間の方位関係(OR)を,電子後方散乱回折によって研究した。更に,銅とサファイアの界面の形状を,走査型電子顕微鏡で観察した。堆積したままの薄膜は,いずれの基板にも平行な{111}表面を持つが,固体脱濡れ後には,m-面基板上に堆積した銅結晶の界面はCu{111}∥Al₂O₃(m-面)からCu{111}∥Al₂O₃(a-面)に変わることが分かった。一方,固体ディウェッティング後には,m-面基板およびr-面基板上に堆積した銅結晶の優先的なORはCu{111}〈110〉∥Al₂O₃{11<span style=text-decoration:overline>2^-</span>0}〈0001〉で表されると思われる。このORは,以前にサファイアのa-面上に堆積した銅について観測されたORと同じである。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅 ,  *金属薄膜 ,  *基板 ,  サファイア ,  *結晶方位 ,  電子回折 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 電子後方散乱回折 ,  界面形状 ,  走査型電子顕微鏡 ,  *脱濡れ

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  成長 ,  銅 ,  結晶 ,  方位