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J-GLOBAL ID：201502277788211822   整理番号：15A0549741

高性能H₂S検出用のZnO真性半導体ナノワイヤの硫化-脱硫化反応による検出効果

Sulfuration-desulfuration reaction sensing effect of intrinsic ZnO nanowires for high-performance H₂S detection

著者 (5件)： HUANG Haiyun (School of Chemical and Environmental Engineering, Shanghai Inst. of Technol., 100 Haiquan Road, Shanghai 201418 ...) ,  XU Pengcheng ,  ZHENG Dan ,  CHEN Chuanzhao ,  LI Xinxin
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 3  号： 12  ページ： 6330-6339  発行年： 2015年03月28日 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固有原理による(触媒に頼らない)ZnOナノワイヤアレイ(NW)の化学応答電気抵抗材料を用いた新しい硫化水素検出効果を探求した。ボトムアップ法で調製した50~60nm径のZnONWは硫化水素で硫化されてZnSとなり,後刻雰囲気中の酸素により脱硫してZnOに戻ることを見出し,また立証した。普通のZnOの硫化水素検出機構は表面に吸着する酸素による半導体としての空乏層の変化による電気抵抗を利用する。本報のZnONWセンサに硫化水素を触れさせると硫化反応で生成したZnSは感度,検出限界,選択性などの検出性能が劇的に高まる。硫化水素を取り除いた後は脱硫によって信号復旧が急速に起り,繰返し性を高める。ナノスケールのサイズ効果で生れる新しい検出機構のおかげで,固有ZnO-NWは低温(150°C)でも,従来高温型触媒増強ZnOでも実現しなかったppbからppm濃度の高い硫化水素検出能力を示す。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノ構造 ,  *細線 ,  *電気抵抗 ,  *硫化水素 ,  *ガスセンサ ,  硫化 ,  脱硫 ,  硫化亜鉛 ,  感度 ,  検出限界 ,  選択性 ,  回復 ,  測定精度 ,  化学的加工 ,  組立 ,  固体素子 ,  *真性半導体
準シソーラス用語： *ナノワイヤアレイ ,  ボトムアップ法 ,  化学選択性 ,  繰返し性 ,  酸化脱硫 ,  信号回復

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  H2S ,  ZnO ,  真性半導体 ,  ナノワイヤ ,  硫化 ,  硫化反応