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J-GLOBAL ID：201502278442320605   整理番号：15A0509019

MOCVD法によるGe/Si基板上InAs/GaAs量子ドットにおけるGaAs核形成層の成長温度の最適化

Optimization of Growth Temperature of GaAs Nucleation Layer in InAs/GaAs Quantum Dots on Ge/Si substrate by MOCVD

著者 (3件)： RAJESH Mohan (Univ. Tokyo) ,  NISHIOKA Masao (Univ. Tokyo) ,  ARAKAWA Yasuhiko (Univ. Tokyo)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.14A-D4-10  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： MOCVD ,  基板 ,  ゲルマニウム ,  ケイ素 ,  *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *量子ドット ,  核形成 ,  温度 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル
準シソーラス用語： 成長温度

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： MOCVD ,  Ge ,  Si基板 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  核 ,  形成層 ,  成長温度 ,  最適化