文献

J-GLOBAL ID：201502278700411874   整理番号：15A0370421

低温で動作するSi上の超低閾値電気的注入AlGaNナノワイヤ紫外レーザ

Ultralow-threshold electrically injected AlGaN nanowire ultraviolet lasers on Si operating at low temperature

著者 (5件)： LI K.H. (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  LIU X. (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  WANG Q. (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  ZHAO S. (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  MI Z. (McGill Univ., Quebec, CAN)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 10  号： 2  ページ： 140-144  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UV-B(280~320nm)やUV-C(<280nm)の波長領域でレーザ発振する半導体レーザを開発するために,Si基板上のAlGaNのナノワイヤについて検討した。AlGaNのコアシェル型のナノワイヤアレイをモノリシックに形成し,電気的方法でキャリア注入を行い,レーザ発振の特性を低温で調べた。また,Si基板に直接形成されたナノワイヤの格子欠陥も調べた。格子欠陥がなく,電気的注入効率が向上し,レーザ発振の閾値が低下した。レーザ発振の閾値は数十A/cm²程度で,これまで報告された半導体レーザに比べて数桁小さくなった。レーザ発振波長域も紫外領域にあった。Si基板上のAlGaNナノワイヤを利用することで,レーザ発振閾値が大幅に低減し,電気的注入法で紫外レーザを実現できることが分かった。水の浄化,フレキシブルなディスプレイ,データ記憶,殺菌,診断などに利用できる。

シソーラス用語： *紫外レーザ ,  *半導体レーザ ,  *ナノワイヤ ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  キャリア注入 ,  閾値 ,  ケイ素 ,  低温 ,  レーザビーム ,  光源 ,  紫外線 ,  量子井戸 ,  レーザ発振 ,  ウエハ【IC】 ,  薄膜成長 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： AlGaN ,  Si基板 ,  UV-B ,  UV-C ,  レーザー光源

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  Si ,  閾値 ,  注入 ,  AlGaN ,  ナノワイヤ ,  紫外レーザ