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J-GLOBAL ID：201502278816782497   整理番号：15A0512559

セルロースナノ結晶基板上の安定な低電圧動作トップゲート有機電界効果トランジスタ

Stable Low-Voltage Operation Top-Gate Organic Field-Effect Transistors on Cellulose Nanocrystal Substrates

著者 (9件)： WANG Cheng-Yin (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  FUENTES-HERNANDEZ Canek (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  LIU Jen-Chieh (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  DINDAR Amir (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  CHOI Sangmoo (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  YOUNGBLOOD Jeffrey P. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  MOON Robert J. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  MOON Robert J. (U.S. Forest Serv., Wisconsin, USA) ,  KIPPELEN Bernard (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 8  ページ： 4804-4808  発行年： 2015年03月04日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良好な保存性及び動作安定性をもち,低電圧で動作する溶液処理半導体層をもつ,セルロースナノ結晶(CNC)/グリセロール基板上のトップゲート有機電界効果トランジスタ(OFET)を実証した。安定な特性をもつトップゲートOFETを達成する鍵は,基板における化学種から有機半導体層を絶縁することであることを見出した。原子層堆積により成長させたAl₂O₃の薄い層の堆積によりそれを実現し,これが,はるかに改善された環境的安定性をもたらすことを明確に示した。

シソーラス用語： *電圧 ,  *ゲート【半導体】 ,  素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  *セルロース ,  *ナノ結晶 ,  *基板 ,  ナノチューブ ,  絶縁膜 ,  酸化アルミニウム ,  不動態皮膜 ,  化学蒸着 ,  ポリアセン ,  脂肪族アルコール ,  ポリオール ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *低電圧 ,  トップゲート ,  OFET ,  ALD【蒸着】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： ペンタセン ,  グリセロール

タイトルに関連する用語 (4件)： セルロースナノ結晶 ,  低電圧 ,  トップゲート ,  有機電界効果トランジスタ