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J-GLOBAL ID：201502279016967444   整理番号：15A0400460

シリコンリング共振器に及ぼす総電離線量効果

Total Ionizing Dose Effects on Silicon Ring Resonators

著者 (4件)： BHANDARU S. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  HU S. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  FLEETWOOD D.M. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WEISS S.M. (Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 62  号： 1,Pt.2  ページ： 323-328  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンリング共振器に種々の線量率で662keVの¹³⁷Csγ線を147krad(SiO₂),及び10keVのX線を6700krad(SiO₂)照射し,Siフォトニック構造が敏感な条件を決定し,透過応答における表面不動態化の役割を調べた。元の酸化物から剥ぎ取った非不動態化Siリング共振器は,照射で加速された酸化により透過強度が即座に且つ有意に変化した。一方,元の酸化膜で不動態化したSiリング共振器は,同じ環境条件下の基準リングに比べて,透過スペクトルに測定可能な違いは見られなかった。

シソーラス用語： *リング共振器 ,  ケイ素 ,  照射線量 ,  *不動態化 ,  酸化膜 ,  スペクトル ,  X線照射 ,  γ線照射 ,  線量率 ,  電子顕微鏡観察 ,  *放射線効果
準シソーラス用語： 総電離線量 ,  透過スペクトル ,  *表面不動態化

分類 (1件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  リング共振器 ,  総電離線量