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J-GLOBAL ID：201502279151434820   整理番号：15A0228374

誘電体マトリックス中に埋め込まれた半導体ナノクラスターのランダムネットワークにおけるトンネリングに基づく電荷浸透輸送

Tunneling-based charge percolation transport in a random network of semi-conductive nanoclusters embedded in a dielectric matrix

著者 (4件)： FILIP Valeriu (Univ. of Bucharest, Fac. of Physics, 405 Atomistilor Str., Bucharest-Magurele 077125, P.O. Box MG-11, ROM) ,  FILIP Valeriu (City Univ. of Hong Kong, Dep. of Electronic Engineering, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong) ,  BERCU Mircea (Univ. of Bucharest, Fac. of Physics, 405 Atomistilor Str., Bucharest-Magurele 077125, P.O. Box MG-11, ROM) ,  WONG Hei (City Univ. of Hong Kong, Dep. of Electronic Engineering, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 574  ページ： 84-92  発行年： 2015年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電体マトリックス中に埋め込まれた半導体材料からなるナノクラスターのランダムネットワーク内の電子の浸透トンネリング輸送を簡単なモデルで研究した。いくつかの強力な仮定にもかかわらず,本モデルは,ナノクラスターの小さな体積分率での電流密度の臨界挙動と同様に,既に文献に報告された結果を再現することが可能である。その単純さ(例えば,最近傍からのみの局所伝導への寄与)により,本モデルは,直接接触複合材料の普遍べき乗則挙動にかなり近い導電率の近臨界変動を予測した。更に,本方法は,静的方法で動作する試料において確立された電子の全平均数及びそれらの空間的分布を計算することができる。本モデルのこの様な機能を使用して,オプトエレクトロニクス用途のために最適な装置構成を設計することができる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *トンネル効果 ,  誘電体 ,  マトリックス【母体】 ,  *埋込み【挿入】 ,  *半導体 ,  *ナノクラスタ ,  *ネットワーク ,  電気伝導 ,  電流密度 ,  臨界現象
準シソーラス用語： ランダムネットワーク ,  浸透トンネリング電子輸送

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘電体 ,  マトリックス ,  ナノクラスター ,  トンネリング ,  電荷 ,  浸透 ,  輸送