文献

J-GLOBAL ID：201502279298277526   整理番号：15A0392826

インプリントガラス上の二重サイドテクスチャ液相結晶化シリコン薄膜太陽電池

Double-side textured liquid phase crystallized silicon thin-film solar cells on imprinted glass

著者 (5件)： BECKER C. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Young Investigator Group Nano-SIPPE & Inst. Silicon ...) ,  PREIDEL V. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Young Investigator Group Nano-SIPPE & Inst. Silicon ...) ,  AMKREUTZ D. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Young Investigator Group Nano-SIPPE & Inst. Silicon ...) ,  HASCHKE J. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Young Investigator Group Nano-SIPPE & Inst. Silicon ...) ,  RECH B. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Young Investigator Group Nano-SIPPE & Inst. Silicon ...)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 135  ページ： 2-7  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近現れた液相結晶(LPC)法はガラス上に高品質結晶性シリコン薄膜太陽電池の作製における可能な具体的進展を提供した。卓絶したバルク材品質と良い不動態化界面が保証されなければならないとき,そのようなLPCシリコンデバイスへの効率的光トラッピングテクスチャの実現化はまだ課題です。本論文では,著者は,インプリントガラス上のLPCシリコン薄膜太陽電池のための光制御における最近の進歩を提示します。2μm二重サイド周期的テクスチャは,酸化ケイ素でコーティングされたインプリントガラス基板と酸化ケイ素キャッピング層の間の電子線誘起結晶化プロセスの間にシリコン膜をサンドイッチにすることによって,実現化されます。片側接触スキームを有するアモルファス-結晶シリコン(a-Si:H/c-Si)ヘテロ接合太陽電池を作製した。テクスチャプロトデバイスと同時処理化平面太陽電池は,550mVより上の無負荷電圧と最大8.1%の効率を特徴とする同等な電子材料品質を提供します。厚さ10μmの二重サイドテクスチャシリコン膜の光吸収特性は,ゼロ寄生吸収を仮定すると,太陽電池において最大38mA/cm²の達成可能な短絡電流密度を予測さえできる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  *液相成長 ,  薄膜成長 ,  *結晶化 ,  光トラッピング ,  表面構造 ,  酸化ケイ素 ,  保護膜 ,  *アモルファスシリコン ,  *ヘテロ接合 ,  *光吸収 ,  電流密度 ,  基板 ,  ガラス ,  側面 ,  電子照射
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  短絡電流密度 ,  電子線誘起結晶化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： テクスチャ ,  液相 ,  結晶化シリコン ,  薄膜太陽電池