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J-GLOBAL ID：201502279511922597   整理番号：15A0590932

結晶性ナローバンドギャップ半導体BaZrO₃:マイクロ波-水熱合成によるBi-Si

Crystalline and narrow band gap semiconductor BaZrO₃: Bi-Si synthesized by microwave-hydrothermal synthesis

著者 (8件)： BORJA-URBY R. (Dep. of Physics and Astronomy, The Univ. of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA) ,  BORJA-URBY R. (Grupo de Espectroscopia de Materiales Avanzados y Nanoestructurados (GEMANA), Centro de Investigaciones en Optica ...) ,  DIAZ-TORRES L.A. (Grupo de Espectroscopia de Materiales Avanzados y Nanoestructurados (GEMANA), Centro de Investigaciones en Optica ...) ,  GARCIA-MARTINEZ I. (Dep. of Physics and Astronomy, The Univ. of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA) ,  BAHENA-URIBE D. (Dep. of Physics and Astronomy, The Univ. of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA) ,  CASILLAS Gilberto (Dep. of Physics and Astronomy, The Univ. of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA) ,  PONCE A. (Dep. of Physics and Astronomy, The Univ. of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA) ,  JOSE-YACAMAN M. (Dep. of Physics and Astronomy, The Univ. of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA)
資料名： Catalysis Today  (Catalysis Today)
巻： 250  ページ： 95-101  発行年： 2015年07月15日 
JST資料番号： T0363A  ISSN： 0920-5861  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 必要に迫られた材料設計は環境保全に関心のある国家すべてにとって優先課題となっている。適切な環境に優しいマイクロ波-水熱反応によってBaZrO₃を合成した。純Siドープ及びBi-Si共ドープBaZrO₃半導体を紹介した。結晶構造,形態及び光学特性はビスマス濃度に依存した。ビスマス濃度を増すと,サイズが90から500nmに至る明確なファセットを持った粒子と球状の粒子が得られた。結晶化度の高い化合物は50及び1.5mol%という高いビスマス-シリコン濃度においてもそれぞれがBaZrO₃立方晶系ペロブスカイト相を維持していた。ビスマス濃度が増すと,光吸収端は可視光領域にシフトし,バンドギャップは狭くなった。BaZrO₃非ドープ及びBaZrO₃ドープそれぞれについて水-エタノール溶媒中,170°C,1及び4時間の反応時間で適切な化合物が得られた。他の半導体材料の同様の特性は可視光活性光触媒としての実用的応用に適しているので,ナノ複合体BaZrO₃を環境に優しい光触媒として有望であると提唱した。BaZrO₃の特性に対するビスマス-シリコンの導入効果及びその光触媒特性との関係を明らかにした。ペロブスカイト構造内部のHREM,HAADF及びドーパント分布を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バリウム化合物 ,  *ジルコニウム酸塩 ,  化合物半導体 ,  バンドギャップ ,  結晶度 ,  触媒調製 ,  マイクロ波加熱 ,  水熱合成 ,  *ケイ素 ,  *ビスマス ,  *ドーピング ,  結晶構造 ,  モルフォロジー ,  濃度依存性 ,  粒径 ,  立方晶系 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *光照射 ,  *光触媒 ,  環境保全
準シソーラス用語： *可視光照射 ,  *共ドーピング

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 結晶性 ,  ナローバンドギャップ半導体 ,  マイクロ波 ,  水熱合成 ,  Bi ,  Si