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J-GLOBAL ID：201502279933537726   整理番号：15A0662604

CMOSベース多チャネルカーボンナノチューブ対ナノワイヤ電界効果トランジスタモデルの準一次元性能及びベンチマーキング

Quasi-One-Dimensional Performance and Benchmarking of CMOS-Based Multichannel Carbon Nanotube versus Nanowire Field-Effect Transistor Models

著者 (6件)： CHIN Huei Chaeng (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  LIM Cheng Siong (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  DANAPALASINGAM Kumeresan A. (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  ARORA Vijay K. (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS) ,  ARORA Vijay K. (Wilkes Univ., Pennsylvania, USA) ,  TAN Michael Loong Peng (Universiti Teknologi Malaysia, Johor, MYS)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 7  号： 1  ページ： 178-189  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 各種ディジタル論理ゲートに関して,n=1,2,5,及び10に対するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNTFET)及びシリコンナノワイヤ(NW)FETの回路性能計量を評価し,32nm技術プロセスに関して比較した。数n=12のCNTFETあるいはSi NWFETチューブを,74nmのチャネル幅に挿入できることが明らかになった。全体素子性能は,n=13以上のとき,減少飽和電流により劣化した。多チャネルCNTFETが,Si NWFETよりエネルギー効率が良いことが分かった。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *カーボンナノチューブ ,  *ナノワイヤ ,  *トランジスタモデル ,  チャネル ,  ピッチ【機械要素】 ,  *積算 ,  消費電力 ,  遅れ ,  集積回路 ,  *ベンチマーク ,  *一次元 ,  *CMOS構造 ,  超LSI ,  レイアウト ,  ケイ素 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  回路解析 ,  短チャネル効果 ,  NOR回路 ,  NAND回路 ,  インバータ ,  エネルギー効率
準シソーラス用語： CNFET ,  DIBL ,  SOC【IC】 ,  エネルギー遅延積 ,  カーボンナノワイヤ ,  準一次元 ,  多チャネル ,  *電力遅延積

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMOS ,  多チャネル ,  カーボンナノチューブ ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  モデル ,  ベンチマーキング