文献

J-GLOBAL ID：201502280341540501   整理番号：15A0653011

Sb₂Te₃薄膜の熱電気伝導に及ぼすトポロジカル表面状態の影響

Impact of the Topological Surface State on the Thermoelectric Transport in Sb₂Te₃ Thin Films

著者 (11件)： HINSCHE Nicki F. (Martin Luther Univ. Halle-Wittenberg, Halle, DEU) ,  ZASTROW Sebastian (Univ. Hamburg, Hamburg, DEU) ,  GOOTH Johannes (Univ. Hamburg, Hamburg, DEU) ,  PUDEWILL Laurens (Univ. Hamburg, Hamburg, DEU) ,  ZIEROLD Robert (Univ. Hamburg, Hamburg, DEU) ,  RITTWEGER Florian (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  RAUCH Tomas (Martin Luther Univ. Halle-Wittenberg, Halle, DEU) ,  HENK Juergen (Martin Luther Univ. Halle-Wittenberg, Halle, DEU) ,  NIELSCH Kornelius (Univ. Hamburg, Hamburg, DEU) ,  MERTIG Ingrid (Martin Luther Univ. Halle-Wittenberg, Halle, DEU) ,  MERTIG Ingrid (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Halle, DEU)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 4  ページ： 4406-4411  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜Sb₂Te₃に関して量子理論と実験手法を組み合わせて,我々は様々な薄膜TIsの実験で熱起電力の低下を再現し,説明を行った。密度汎関数理論に基づく第一原理計算より,我々は様々な膜厚と温度に於けるp-タイプTI Sb₂Te₃の熱起電力特性を論議した。トポロジカル的に保護された表面準位は半導体の領域に於いても金属的な伝導になる。バルクと表面の分離で示される様に,後者は測定された薄膜の全熱起電力の低下に繋がる。この減少は広い膜の膜厚とドーピングに渡り存在している。電荷キャリアの濃度を変化させると,表面準位優勢とFuchs-Sondheimer輸送領域のクロスオーバーが達成される。膜厚減少に伴う全熱起電力の減少とこれらの二つの輸送領域は原子層堆積によるSb₂Te₃薄膜の熱起電力輸送測定で確認された。

シソーラス用語： *テルル化物 ,  *アンチモン化合物 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  熱電流 ,  電気伝導 ,  *表面準位 ,  *表面構造 ,  *熱起電力 ,  膜厚 ,  温度依存性 ,  金属性 ,  ドーピング ,  原子層エピタクシー
準シソーラス用語： 熱電気 ,  *トポロジカル表面状態

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  熱電気 ,  伝導 ,  トポロジカル表面状態