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J-GLOBAL ID：201502280369537417   整理番号：15A0636534

数層MoTe₂における間接から直接バンドギャップへのクロスオーバ

Indirect-to-Direct Band Gap Crossover in Few-Layer MoTe₂

著者 (7件)： LEZAMA Ignacio Gutierrez (Univ. Geneve, Geneva, CHE) ,  ARORA Ashish (Lab. National des Champs Magnetiques Intenses(LCNMI), CNRS, Grenoble, FRA) ,  UBALDINI Alberto (Univ. Geneve, Geneva, CHE) ,  BARRETEAU Celine (Univ. Geneve, Geneva, CHE) ,  GIANNINI Enrico (Univ. Geneve, Geneva, CHE) ,  POTEMSKI Marek (Lab. National des Champs Magnetiques Intenses(LCNMI), CNRS, Grenoble, FRA) ,  MORPURGO Alberto F. (Univ. Geneve, Geneva, CHE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 4  ページ： 2336-2342  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 剥離により数層テルル化モリブデンを調製した。原子間力顕微鏡,Ramanスペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。バンドギャップ構造を低温反射スペクトルおよび光ルミネセンスの温度依存性により検討した。一層および二層MoTe₂の励起子光ルミネセンスの積分強度は同等であるが,三層では強度減少が生じ,四層では顕著に強度が低下した。一層および二層試料は直接バンドギャップ,三層以上では間接バンドギャップ半導体への転移が生じると推定した。

シソーラス用語： *テルル化物 ,  *モリブデン化合物 ,  剥離 ,  *薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  反射スペクトル ,  光ルミネセンス ,  温度依存性 ,  励起子 ,  放射強度 ,  バンドギャップ ,  構造相転移 ,  *バンド構造
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  構造転移 ,  直接バンドギャップ ,  薄層

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 間接 ,  直接バンドギャップ ,  クロスオーバ