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J-GLOBAL ID：201502280424052290   整理番号：15A0441119

Langmuir-Blodgett法で形成したCdSにおける光ルミネセンスの挙動

Photoluminescence kinetics in CdS nanoclusters formed by the Langmuir-Blodgett technique

著者 (3件)： ZARUBANOV A. A. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  ZHURAVLEV K. S. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  ZHURAVLEV K. S. (Novosibirsk State Univ., 630090, Novosibirsk, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 3  ページ： 380-386  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Langmuir-Blodgett法で形成したCdSナノ結晶からの光ルミネセンス(PL)の挙動を温度5Kで調べた。PLの減衰は2つの指数関数の和で記述され,それらの特性時間は約30nsと160nsであった。速い減衰時間と遅い減衰時間はナノ結晶のサイズが増大するに従って長くなった。データの解析から速い方の減衰時間は欠陥を伴ったナノ結晶中のトリオンの再結合により支配され,遅い方の減衰時間は無欠陥ナノ結晶中の光学的に非活性な励起子の消滅により支配されることが分かった。ナノ結晶のサイズが減少するにつれて,欠陥形成エネルギーが増大するため,不完全ナノ結晶の比率が減少することが分かった。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  化合物半導体 ,  *ナノ結晶 ,  Langmuir-Blodgett膜 ,  *光ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  蛍光減衰 ,  減衰時間 ,  粒度依存性 ,  格子欠陥

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： Langmuir-Blodgett法 ,  CdS ,  光ルミネセンス ,  挙動