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J-GLOBAL ID：201502280439687004   整理番号：15A0647949

シリコーンゴムへのアゾベンゼンの分子架橋による誘電エラストマーの高度に改良されたエレクトロアクチュエーション

Highly improved electro-actuation of dielectric elastomers by molecular grafting of azobenzenes to silicon rubber

著者 (7件)： ZHANG Ling (Dep. of Polymer Sci. and Engineering, School of Chemistry and Biological Engineering, Univ. of Sci. & Technol. ...) ,  WANG Dongrui ,  HU Penghao ,  ZHA Jun-Wei ,  YOU Feng ,  LI Sheng-Tao ,  DANG Zhi-Min
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 19  ページ： 4883-4889  発行年： 2015年05月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究で筆者らは,強化された誘電率と大きな絶縁耐力を有する誘電エラストマーの新規で効率的な作成法を報告する。ヒドロキシ基を末端に持つポリジメチルシロキサンに共架橋して大きな永久双極子モーメントを有するアゾベンゼンを単純な1段階プロセスによって合成し,ロバストで分子的に均質なシリコーンゴム(SR)を実現した。得られるアゾ-g-PDMSエラストマーのアゾベンゼン含量は,0~13.2wt%の範囲で,このエラストマーの化学構造,誘電特性,及び機械的特性を入念に特性化した。アゾ-g-PDMS膜の1kHzでの誘電率は,ベンゼン含量の増加と共に2.72から4.88まで増大した。4.0wt%のアゾベンゼンによる架橋によって,アゾ-g-PDMSの絶縁破壊強さが,原SRよりも36%大きい89.4Vμm^-1に達した。シリコーンゴムの電界誘起変形は,アゾベンゼンの架橋によって強化された。7.1wt%のアゾベンゼンを有するアゾ-g-PDMS膜は,17%の最大領域のひずみを示した。一方,アゾ-g-PDMS膜は,電界の変化に対して短い応答時間(約0.5s)を示した。この型のアゾ-g-PDMS膜に基づくいくつかのプロトタイプの電気機械アクチュエータを作成し,アゾ-g-PDMS誘電エラストマーが人工筋肉への応用のための非常に有望な候補であることを実証する。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *シリコーンゴム ,  *アゾ化合物 ,  *芳香族化合物 ,  誘電率 ,  絶縁耐力 ,  *ゴム ,  ポリジメチルシロキサン ,  双極子モーメント ,  機械的性質 ,  *電場効果 ,  *アクチュエータ ,  人工筋肉 ,  架橋【高分子】
準シソーラス用語： *アゾベンゼン誘導体 ,  *誘電エラストマ

分類 (2件)： 無機重合体  (YH07140R) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

物質索引 (1件)： C.I.ディスパースレッド19

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコーンゴム ,  アゾベンゼン ,  分子 ,  架橋 ,  誘電エラストマー