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J-GLOBAL ID：201502280672770221   整理番号：15A0647893

SiCナノワイヤでの電磁波吸収状態依存性の積層欠陥および非占有密度

Stacking fault and unoccupied densities of state dependence of electromagnetic wave absorption in SiC nanowires

著者 (9件)： ZHANG Hangyu (School of Chemical Engineering and Technol., Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, China. [e-mail]) ,  XU Yongjun ,  ZHOU Jigang ,  JIAO Jinfu ,  CHEN Yujin ,  WANG Huan ,  LIU Chenyu ,  JIANG Zhaohua ,  WANG Zhijiang
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 17  ページ： 4416-4423  発行年： 2015年05月07日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥と特性との間の関係を理解することは,欠陥制御効力による材料調製の指針を提供できる。本研究で,積層欠陥の異なる状態のβ-SiCナノワイヤ(NW)を熱処理温度を変えることで調製した。積層欠陥状態のキャラクタリゼーションを,透過型電子顕微鏡および粉末X線回折計で行った。電子構造を,C K-端およびSi K-端でのX線吸収近接端構造(XANES)で検討した。微細構造解析から,SiC NWの積層欠陥の含有量は,加熱温度の増加により著しく減少することが判明した。C K-端XANESスペクトルにおける非占有状態密度(DOS)は,SiC NWの積層欠陥含有量と正の相関があった。積層欠陥平面は,1400°Cでの加熱温度で成長方向に対し35°Cの角度で傾いたが,これを,温度が1600°Cまで上昇すると,成長方向に対して垂直に変換した。ドメインの傾斜積層欠陥平面が,最も強い誘電体共振を誘導した。最も高い炭素非占有DOSをもつ1400°Cで合成されたSiC NWは,最も多くの積層欠陥含有量や多数の双極子を有したが,これにより,交流電磁場下での分極やエネルギー散逸が強くなった。その結果,最も低い反射ロス(R_L)値-30dBおよび3.7GHzの周波数領域をカバーする有効吸収帯(R_L<-10dB)を達成した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *電磁波吸収 ,  吸収体 ,  *積層欠陥 ,  *状態密度 ,  温度 ,  熱処理条件 ,  キャラクタリゼーション ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  XANES ,  含有量 ,  相関 ,  *共振 ,  *誘電体 ,  双極子 ,  電磁場 ,  分極 ,  エネルギー散逸 ,  伝送損失 ,  電磁波反射 ,  周波数領域 ,  吸収バンド ,  誘電率
準シソーラス用語： 材料調製 ,  状態依存性 ,  熱処理温度 ,  反射ロス【電磁波】

分類 (4件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  塩  (CD01050V) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  原子核エネルギー準位  (BG02020D)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  ナノワイヤ ,  電磁波吸収 ,  状態依存性 ,  積層欠陥 ,  密度