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J-GLOBAL ID：201502280745202022   整理番号：15A0523553

サブスレッショルドスイングの小さい低電圧InGaZnO薄膜トランジスタ

Low-Voltage InGaZnO Thin Film Transistors with Small Sub-Threshold Swing

著者 (3件)： CHENG C.H. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHOU K.I. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU H.H. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 15  号： 2  ページ： 1486-1489  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムガリウム亜鉛酸化物(IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は高分解能LEDディスプレイに必要な大きな駆動電流を提供できる。本研究では,高誘電率(高k)のLaAlO₃ゲート誘電体を用いて,低電圧駆動IGZO-TFTを実証した。LaAlO₃/IGZO-TFTは0.42Vの低い閾値電圧,68mV/decの小さなサブスレッショルドスイング,4.1cm²/Vsの電界効果移動度,1.4Vの低い動作電圧を同時に実現した。このTFTは高速スイッチングや低電力用途に応用できる。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  インジウム化合物 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  アルミン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  X線光電子スペクトル ,  電流電圧特性 ,  電流 ,  素子構造 ,  性能指数 ,  酸化物 ,  フラットパネルディスプレイ ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  アルミン酸ランタン ,  ゲート誘電体 ,  ドレイン電圧 ,  ドレイン電流 ,  *サブ閾値スイング ,  LEDディスプレイ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： サブスレッショルドスイング ,  低電圧 ,  トランジスタ