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J-GLOBAL ID：201502281556208016   整理番号：15A0389071

紫外線ラインスキャナ用SOIベースSchottky障壁ダイオードアレイ

SOI-Based Schottky Barrier Diode Array for Ultraviolet Line-Scanner

著者 (5件)： LEE You-Na (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  SHIN Jang-Kyoo (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  LEE Young-Tae (Andong National Univ., Andong, KOR) ,  ISHIDA Makoto (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  LEE Wanghoon (Gumi Electronics and Information Technol. Res. Inst., Gumi, KOR)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 15  号： 3  ページ： 1727-1731  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外線ラインスキャナ用フォトダイオード(PD)として使用するため,SOI構造上のAl電極とリンイオン打込み単結晶Si層間のSchottky接触によるSchottky障壁ダイオードアレイを作製し,特性化した。この構造のPDの製造プロセスは簡素であり,CMOSプロセスと両立できる。3V印加時,360nmの光波長で0.397の最大外部量子効率,116.2mV/mW/cm²の感度,及び約1.3msの応答時間を実現した。1×6のSOIベースPDアレイを作製した。

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *Schottky障壁ダイオード ,  SOI構造 ,  *紫外線 ,  カメラ ,  撮像装置 ,  リン ,  イオン注入 ,  ケイ素 ,  単結晶 ,  接触 ,  量子効率 ,  感度 ,  応答時間 ,  生産工程 ,  素子構造 ,  電気特性 ,  配列 ,  *光検出器
準シソーラス用語： Schottky接触 ,  イオン打込み ,  ラインスキャンカメラ ,  リニアアレイ ,  外部量子効率 ,  製造プロセス

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 紫外線 ,  スキャナ ,  SOI ,  Schottky障壁ダイオード ,  アレイ